Тайминги оперативной памяти Ddr3 1600

Обновлено: 21.11.2024

Оперативная память — важнейший компонент каждого компьютера, но она может сбивать с толку. Вот объяснение ОЗУ в понятных каждому терминах.

ОЗУ — это кратковременная память вашего компьютера. Именно здесь ваш компьютер отслеживает программы и данные, которые вы используете прямо сейчас. Вы, наверное, уже знаете, что чем больше оперативной памяти, тем лучше, но, возможно, сейчас вы хотите установить больше оперативной памяти.

Однако покупка оперативной памяти может сбить с толку. В чем разница между DDR3 и DDR4? DIMM и SO-DIMM? Есть ли разница между DRR3-1600 и PC3-12800? Важны ли задержка и время ОЗУ?

Читайте дальше, чтобы узнать о различных видах ОЗУ, о том, как читать спецификации ОЗУ и как именно работает ОЗУ.

Что такое оперативная память?

RAM означает оперативную память. Он действует как золотая середина между небольшим, сверхбыстрым кешем вашего процессора и большим, сверхмедленным хранилищем вашего жесткого диска или твердотельного накопителя (SSD). Ваша система использует оперативную память для временного хранения рабочих частей операционной системы и данных, которые активно используют ваши приложения. ОЗУ не является постоянным хранилищем.

Представьте, что ваш компьютер — это офис. Жесткий диск — это картотечный шкаф в углу. Оперативная память похожа на всю офисную рабочую станцию, а кэш-память ЦП похожа на настоящую рабочую область, где вы активно работаете с документом.

Чем больше у вас оперативной памяти, тем к большему количеству вещей вы можете иметь быстрый доступ в любой момент времени. Точно так же, как на большом столе можно хранить больше листов бумаги, не создавая беспорядка и громоздкости (а также не требуя больше походов обратно в картотеку для реорганизации).

Однако, в отличие от офисного стола, оперативная память не может использоваться в качестве постоянного хранилища. Содержимое оперативной памяти вашей системы теряется, как только вы отключаете питание. Потерять электроэнергию — это все равно, что стереть со стола все документы.

Оперативная память обычно означает SDRAM

Когда говорят об оперативной памяти, обычно имеют в виду синхронную динамическую оперативную память (SDRAM). В этой статье также обсуждается SDRAM. Для большинства настольных компьютеров и ноутбуков оперативная память представлена в виде флешки, которую можно вставить в материнскую плату.

К сожалению, в сверхтонких и легких ноутбуках наблюдается тенденция припаивать оперативную память непосредственно к материнской плате в целях экономии места. Однако это снижает возможности модернизации и ремонта.

Не путайте SDRAM с SRAM, что означает статическое ОЗУ. Статическая оперативная память — это память, используемая, помимо прочего, для кэшей ЦП. Она намного быстрее, но также ограничена в своих возможностях, что делает ее непригодной в качестве замены SDRAM. Крайне маловероятно, что вы столкнетесь с SRAM при обычном использовании, так что вам не о чем беспокоиться.

Форм-факторы оперативной памяти

По большей части ОЗУ бывает двух размеров: DIMM (двухрядный модуль памяти), который используется в настольных компьютерах и серверах, и SO-DIMM (Small Outline DIMM), который используется в ноутбуках и других небольших устройствах. компьютеры форм-фактора.

Хотя в двух форм-факторах ОЗУ используется одна и та же технология и они функционально работают одинаково, их нельзя смешивать. Вы не можете просто вставить модуль DIMM в слот SO-DIMM и наоборот (контакты и слоты не совпадают!).

Когда вы покупаете оперативную память, первое, что нужно выяснить, это ее форм-фактор. Все остальное не имеет значения, если палка не подходит!

Что означает DDR?

Оперативная память, которую вы используете на своем компьютере, работает с двойной скоростью передачи данных (DDR). DDR RAM означает, что за такт происходит две передачи. Новые типы ОЗУ – это обновленные версии той же технологии, поэтому модули ОЗУ имеют маркировку DDR, DDR2, DDR3 и т. д.

Хотя все поколения оперативной памяти для настольных ПК имеют одинаковый физический размер и форму, они несовместимы.

Вы не можете использовать оперативную память DDR3 на материнской плате, которая поддерживает только DDR2. Точно так же DDR3 не помещается в слот DDR4. Чтобы избежать путаницы, в каждом поколении ОЗУ есть выемки на штырях в разных местах. Это означает, что вы не сможете случайно перепутать модули оперативной памяти или повредить материнскую плату, даже если вы купите не тот тип.

DDR2 — это старейший тип оперативной памяти, с которым вы, вероятно, столкнетесь сегодня. Он имеет 240 контактов (200 для SO-DIMM). DDR2 была полностью вытеснена, но вы все еще можете купить ее в ограниченном количестве для обновления старых машин. В противном случае DDR2 устарела.

DDR3 была выпущена еще в 2007 году. Хотя DDR4 официально заменила ее в 2014 году, во многих системах по-прежнему используется старый стандарт оперативной памяти. Почему? Потому что только в 2016 году (через два года после запуска DDR4) системы с поддержкой DDR4 действительно набрали обороты.

Кроме того, оперативная память DDR3 поддерживает широкий диапазон поколений ЦП, начиная с сокета Intel LGA1366 и заканчивая разъемом LGA1151, а также AMD AM3/AM3+ и FM1/2/2+. Для Intel это касается линейки Intel Core i7, представленной в 2008 году, и вплоть до процессоров Kaby Lake седьмого поколения в 2016 году.

Оперативная память DDR3 имеет то же количество контактов, что и DDR2.Однако он работает при более низком напряжении и имеет более высокие тайминги (подробнее о таймингах ОЗУ чуть позже), поэтому он несовместим. Кроме того, модули SO-DIMM DDR3 имеют 204 контакта, а не 200 контактов у DDR2.

DDR4 появилась на рынке в 2014 году, и потребовалось некоторое время, чтобы стать самым популярным типом оперативной памяти, уступив место DDR3 где-то в 2017 году. 80 процентов всех продаж оперативной памяти по всему миру.

В начальный период высоких цен многие пользователи придерживались предыдущего поколения. Однако, поскольку новейшие процессоры Intel и AMD используют исключительно оперативную память DDR4, большинство пользователей перешли на новое поколение или обновят ее при следующем обновлении системного оборудования.

DDR4 снижает напряжение ОЗУ еще больше, с 1,5 В до 1,2 В, при этом количество контактов увеличивается до 288.

DDR5 должна была выйти на потребительский рынок в 2019 году. Но этого не произошло. На самом деле этого не произошло и в 2020 году, поскольку новая спецификация памяти была выпущена только в середине 2020 года. В результате на момент написания этой статьи оперативная память DDR5 только начала проникать в мир, но только в виде дорогих демонстрационных модулей, а не продуктов потребительского уровня.

Но, как и в случае с любым новым компьютерным оборудованием, ожидайте чрезвычайно высокой цены при запуске. Кроме того, если вы подумываете о покупке новой материнской платы, не сосредотачивайтесь на DDR5. Он еще недоступен, и, несмотря на то, что говорит SK Hynix, Intel и AMD потребуется некоторое время, чтобы подготовиться

Жаргон оперативной памяти: скорость, задержка, время и многое другое

Вы разобрались с поколениями SDRAM, DIMM и DDR. Но как быть с другими длинными строками чисел в модели RAM? Что они имеют в виду? В чем измеряется оперативная память? А как насчет ECC и Swap?

Вот другие термины спецификации RAM, которые вам необходимо знать.

Тактовая частота, передачи, пропускная способность

Возможно, вы видели, что ОЗУ обозначается двумя наборами чисел, например DDR3-1600 и PC3-12800. Оба они ссылаются и намекают на генерацию оперативной памяти и скорость ее передачи. Число после DDR/PC и перед дефисом относится к поколению: DDR2 — это PC2, DDR3 — это PC3, DDR4 — это PC4.

Число, указанное в паре после DDR, означает количество мегатранзакций в секунду (МТ/с). Например, оперативная память DDR3-1600 работает со скоростью 1600 МТ/с. Упомянутая выше оперативная память DDR5-6400 будет работать со скоростью 6400 МТ/с — намного быстрее! Число в паре после ПК относится к теоретической пропускной способности в мегабайтах в секунду. Например, PC3-12800 работает со скоростью 12 800 МБ/с.

Оперативную память можно разогнать точно так же, как процессор или видеокарту. Разгон увеличивает пропускную способность оперативной памяти. Иногда производители продают предварительно разогнанную оперативную память, но вы можете разогнать ее самостоятельно. Просто убедитесь, что ваша материнская плата поддерживает более высокую тактовую частоту оперативной памяти!

Вам может быть интересно, можно ли смешивать модули оперативной памяти с разными тактовыми частотами. Ответ заключается в том, что да, вы можете, но все они будут работать на тактовой частоте самого медленного модуля. Если вы хотите использовать более быструю оперативную память, не смешивайте ее со старыми и более медленными модулями.

Теоретически вы можете использовать разные марки оперативной памяти, но это не рекомендуется. У вас больше шансов столкнуться с синим экраном смерти или другими случайными сбоями, если вы используете разные марки оперативной памяти или разные тактовые частоты оперативной памяти.

Время и задержка

Иногда на модулях ОЗУ можно увидеть ряд цифр, например 9-10-9-27. Эти числа называются таймингами. Тайминг ОЗУ — это измерение производительности модуля ОЗУ в наносекундах. Чем меньше число, тем быстрее оперативная память реагирует на запросы.

Первая цифра (в примере 9) – это задержка CAS. Под задержкой CAS понимается количество тактовых циклов, которое требуется для того, чтобы данные, запрошенные контроллером памяти, стали доступными для вывода данных.

Вы могли заметить, что ОЗУ DDR3 обычно имеет более высокие временные значения, чем DDR2, а DDR4 обычно имеет более высокие временные значения, чем DDR3. Тем не менее, DDR4 быстрее, чем DDR3, которая быстрее, чем DDR2. Странно, правда?

Мы можем объяснить это на примере DDR3 и DDR4.

Самая низкая скорость работы оперативной памяти DDR3 составляет 533 МГц, что означает тактовый цикл 1/533000000, или 1,87 нс. При задержке CAS в 7 циклов общая задержка составляет 1,87 x 7 = 13,09 нс. ("нс" означает наносекунды.)

Принимая во внимание, что самая низкая скорость оперативной памяти DDR4 составляет 800 МГц, что означает тактовый цикл 1/800000000, или 1,25 нс. Даже если он имеет более высокий CAS 9 циклов, общая задержка составляет 1,25 x 9 = 11,25 нс. Вот почему это быстрее!

Для большинства людей емкость всегда важнее тактовой частоты и задержки. Вы получите гораздо больше преимуществ от 16 ГБ ОЗУ DDR4-1600, чем от 8 ГБ ОЗУ DDR4-2400. В большинстве случаев время и задержка являются последними моментами рассмотрения.

Оперативная память с кодом исправления ошибок (ECC) – это особый тип модуля памяти, предназначенный для обнаружения и исправления повреждения данных. Оперативная память ECC используется на серверах, где ошибки в критически важных данных могут иметь катастрофические последствия.Например, личная или финансовая информация хранится в оперативной памяти при работе со связанной базой данных.

Потребительские материнские платы и процессоры обычно не поддерживают ОЗУ, совместимое с ECC. Если вы не создаете сервер, для которого специально требуется ОЗУ ECC, держитесь от него подальше.

Что такое оперативная память PC4?

Как и выше, PC4 — это еще один способ детализации скорости передачи данных вашей оперативной памяти. Но там, где DDR4-xxxx указывает скорость передачи данных в битах, PC4-xxxxx указывает общую скорость передачи данных вашей оперативной памяти в МБ/с. Вы можете узнать общую скорость передачи данных модуля ОЗУ, умножив его частоту на восемь.

Таким образом, DDR4-3000 относится к модулю оперативной памяти с частотой 3000 МГц. 3000*8 дает общую скорость передачи данных 24 000 МБ/с.

Кроме того, PC4 работает с оперативной памятью DDR. PC3 работает с оперативной памятью DDR3 и так далее. Поэтому, если кто-то спросит, лучше ли ОЗУ DDR4, чем ОЗУ PC4, знайте, что они говорят об одном и том же, просто используя другой метод измерения.

Сколько оперативной памяти вам нужно?

День, когда "640 КБ должно быть достаточно для всех", давно миновали. В мире, где смартфоны регулярно поставляются с 4 ГБ ОЗУ или более, а браузеры, такие как Google Chrome, быстро и свободно распределяют память, бережливость ОЗУ осталась в прошлом. Средний объем установленной оперативной памяти также увеличивается для всех типов оборудования.

Для большинства людей 4 ГБ — это минимальный объем оперативной памяти, необходимый для обычного компьютера. Операционные системы также имеют разные спецификации. Например, вы можете запустить Windows 10 всего с 1 ГБ ОЗУ, но вы обнаружите, что ваш пользовательский опыт вялый. И наоборот, многие дистрибутивы Linux очень хорошо работают с меньшим объемом оперативной памяти.

Если вы обнаружите, что одновременно открыты шесть документов Word и не можете заставить себя закрыть эти 60 вкладок в Google Chrome, вам, вероятно, потребуется как минимум 8 ГБ ОЗУ. То же самое происходит, если вы хотите использовать виртуальную машину.

Оперативная память объемом 16 ГБ должна превысить потребности большинства пользователей. Но если вы держите утилиты работающими в фоновом режиме, с горой вкладок браузера и всем остальным, вы оцените дополнительный объем оперативной памяти. Мало кому нужны 32 ГБ ОЗУ, но, как говорится, чем больше, тем лучше.

Обновление оперативной памяти — это, безусловно, один из самых простых способов мгновенного повышения производительности. Однако, прежде чем совершить обновление, ознакомьтесь с этими распространенными мифами и неправильными представлениями об оперативной памяти. Они помогут вам принять более взвешенное решение о том, сколько оперативной памяти вам нужно для вашей системы и является ли обновление лучшим вариантом.

Все об оперативной памяти

Теперь вы знаете, в чем разница между оперативной памятью DDR2, DDR3 и DDR4, и знаете характеристики оперативной памяти.

Вы можете отличить DIMM от SO-DIMM, а также знаете, как отличить оперативную память с более высокой скоростью передачи данных и более высокой пропускной способностью. На данный момент вы, по сути, являетесь экспертом по оперативной памяти, поэтому в следующий раз, когда вы попытаетесь купить больше оперативной памяти или совершенно новую систему, вам не должно быть сложно.

Действительно, если у вас правильный форм-фактор и соответствующее поколение оперативной памяти, вы не ошибетесь. Время и задержка играют роль, но главное — емкость.

Скорость оперативной памяти

Памяти DDR, DDR2 и DDR3 классифицируются в соответствии с максимальной скоростью, с которой они могут работать, а также их таймингами. Тайминги оперативной памяти — это такие числа, как 3-4-4-8, 5-5-5-15, 7-7-7-21 или 9-9-9-24, чем меньше, тем лучше. В этом руководстве мы подробно объясним, что означает каждое из этих чисел.

Памяти DDR, DDR2 и DDR3 соответствуют классификации DDRxxx/PCyyyy. Кстати, если вам интересно узнать разницу между памятью DDR, DDR2 и DDR3, прочитайте наш учебник на эту тему.

Первое число, xxx, указывает максимальную тактовую частоту, поддерживаемую микросхемами памяти. Например, память DDR400 работает не более чем на частоте 400 МГц, DDR2-800 может работать на частоте до 800 МГц, а DDR3-1333 может работать на частоте до 1333 МГц. Важно отметить, что это не реальная тактовая частота памяти. Реальная тактовая частота памяти DDR, DDR2 и DDR3 составляет половину заявленной тактовой частоты. Поэтому память DDR400 работает на частоте 200 МГц, память DDR2-800 работает на частоте 400 МГц, а память DDR3-1333 работает на частоте 666 МГц.

Второе число указывает максимальную скорость передачи данных, которую достигает память, в МБ/с. Память DDR400 передает данные со скоростью не более 3200 МБ/с, поэтому она помечена как PC3200. Память DDR2-800 передает данные со скоростью 6400 МБ/с и имеет маркировку PC2-6400. Память DDR3-1333 может передавать данные со скоростью 10 664 МБ/с и имеет маркировку PC3-10600 или PC3-10666. Как видите, мы используем цифру «2» или «3» после «DDR» или «ПК», чтобы указать, что мы говорим о памяти DDR2 или DDR3, а не о DDR.

Первая классификация, DDRxxx, является стандартом, используемым для классификации микросхем памяти, а вторая классификация, PCyyyy, — стандартом, используемым для классификации модулей памяти. На рисунке 1 вы видите модуль памяти PC3-10666, в котором используются микросхемы памяти DDR3-1333. Обратите внимание на тайминги ОЗУ (7-7-7-18) и напряжение (1,5 В).

Предварительный просмотр

Товар

Рис. 1. Модуль памяти DDR3-1333/PC3-10666

Максимальную скорость передачи для модуля памяти можно рассчитать по следующей формуле:

Максимальная теоретическая скорость передачи = часы x количество бит/8

Поскольку модули DIMM передают 64 бита за раз, «количество бит» будет равно 64. Поскольку 64/8 равно 8, мы можем упростить эту формулу до:

Максимальная теоретическая скорость передачи = часы x 8

Если модуль памяти установлен в системе, где шина памяти работает с более низкой тактовой частотой, максимальная скорость передачи, которую может достичь модуль памяти, будет ниже его теоретической максимальной скорости передачи. На самом деле, это очень распространенное заблуждение.

Например, предположим, что вы купили пару модулей памяти DDR3-2133/PC3-17000. Несмотря на то, что они помечены как DDR3-2133, они не будут автоматически работать на частоте 2133 МГц в вашей системе. Это максимальная тактовая частота, которую они поддерживают, а не тактовая частота, с которой они будут работать. Если вы установите его на обычную компьютерную систему, поддерживающую память DDR3, она, вероятно, будет работать на частоте 1333 МГц (DDR3-1333) — максимальной стандартной скорости DDR3 — с максимальной скоростью передачи 10 664 МБ/с (или 21 328 МБ/с). если они работают в двухканальном режиме, прочтите наше руководство по двухканальному режиму, чтобы узнать больше об этом предмете). Таким образом, они не будут автоматически работать на частоте 2133 МГц и автоматически не достигнут скорости передачи данных 17 000 МБ/с.

Итак, зачем кому-то покупать эти модули? Кто-то купит их для разгона. Поскольку производитель гарантирует, что эти модули будут работать на частоте до 2133 МГц, вы знаете, что можете увеличить тактовую частоту шины памяти до 1066 МГц, чтобы повысить производительность вашей системы. Однако ваша материнская плата должна поддерживать такой разгон (подробнее см. в нашем руководстве по разгону памяти). Таким образом, покупка модуля памяти с заявленной тактовой частотой выше той, которую поддерживает ваша система, бесполезна, если вы не собираетесь разгонять свою систему.

Для обычного пользователя это все, что нужно знать о памяти DDR, DDR2 и DDR3. Для продвинутого пользователя есть еще одна характеристика: временное использование памяти, также известное как тайминги или латентность. Давайте поговорим об этом.

Тайминги ОЗУ

Из-за таймингов два модуля памяти с одинаковой теоретической максимальной скоростью передачи могут достигать разных уровней производительности. Почему это возможно, если оба работают с одинаковой тактовой частотой?

Время измеряет время, в течение которого микросхема памяти выполняет какие-либо внутренние действия. Вот пример. Рассмотрим самый известный параметр, который называется CAS Latency (или CL или «время доступа»), который говорит нам, сколько тактов задержит модуль памяти при возврате данных, запрошенных ЦП. Модуль памяти с CL 9 будет задерживать девять тактов для доставки запрошенных данных, тогда как модуль памяти с CL 7 будет задерживать семь тактов для их доставки. Хотя оба модуля могут работать с одинаковой тактовой частотой, второй будет быстрее, так как он будет доставлять данные раньше, чем первый. Эта проблема известна как «задержка». Как вы можете видеть на рисунке 1, показанный на нем модуль имеет CL, равный 7.

Операции, на которые указывают эти номера, следующие: CL-tRCD-tRP-tRAS-CMD. Чтобы понять их, имейте в виду, что память внутренне организована как матрица, где данные хранятся на пересечении строк и столбцов.

CL: задержка CAS. Время, которое проходит между отправкой команды в память и началом ответа на нее. Это время, которое проходит между запросом процессором некоторых данных из памяти и их возвратом.
tRCD: задержка между RAS и CAS. Время, которое проходит между активацией строки (RAS) и столбца (CAS), где данные хранятся в матрице.
tRP: предварительная зарядка RAS. Время, которое проходит между отключением доступа к строке данных и началом доступа к другой строке данных.
tRAS: активен для задержки предварительной зарядки. Как долго память должна ждать, пока не будет инициирован следующий доступ к памяти.
CMD: Частота команд. Время, которое проходит между активацией микросхемы памяти и моментом, когда первая команда может быть отправлена в память. Иногда это значение не объявляется.Обычно это T1 (1 такт) или T2 (2 такт).

Обычно у вас есть два варианта: настроить ПК на использование стандартных таймингов памяти, обычно устанавливая для конфигурации памяти значение «Авто» в настройках материнской платы; или вручную настроить ПК на использование более низких таймингов памяти, что может повысить производительность вашей системы. Обратите внимание, что не все материнские платы позволяют изменять тайминги памяти. Кроме того, некоторые материнские платы могут не работать с очень низкими таймингами, и из-за этого они могут настроить ваш модуль памяти на работу с более высокими таймингами.

Рисунок 3. Настройка таймингов памяти при установке материнской платы

При разгоне памяти может потребоваться увеличить тайминги памяти, чтобы система работала стабильно. Вот тут и происходит кое-что очень интересное. Из-за увеличенных таймингов производительность памяти может снизиться, хотя теперь она настроена на работу с более высокой тактовой частотой из-за введенной задержки.

Это еще одно преимущество модулей памяти, которые продаются специально для разгона. Производитель не только гарантирует, что ваш модуль памяти будет работать с заявленной тактовой частотой, но и гарантирует, что вы сможете поддерживать указанные тайминги на уровне указанных часов.

Например, даже если вы можете достичь частоты 1600 МГц (800 МГц x2) с модулями DDR3-1333/PC3-10600, для этих модулей может потребоваться увеличить тайминги памяти, а для DDR3-1600/PC3-12800 производитель гарантирует, что вы сможете достичь частоты 1600 МГц, сохраняя указанные тайминги.

Теперь мы пойдем еще дальше и подробно объясним каждый из параметров синхронизации памяти.

Влияние задержки CAS (CL) на скорость оперативной памяти

Как упоминалось ранее, задержка CAS (CL) — наиболее известный параметр памяти. Он сообщает нам, сколько тактов будет задерживать память для возврата запрошенных данных. Память с CL = 7 задержит семь тактов для доставки данных, а память с CL = 9 задержит девять тактов для выполнения той же операции. Таким образом, для двух модулей памяти, работающих с одинаковой тактовой частотой, быстрее будет тот, у которого наименьший CL.

Обратите внимание, что тактовая частота здесь — это реальная тактовая частота, на которой работает модуль памяти, т. е. половина номинальной тактовой частоты. Поскольку память DDR, DDR2 и DDR3 может передавать два данных за такт, их номинальная частота соответствует удвоенной реальной тактовой частоте.

На рис. 4 показано, как работает CL. Мы привели два примера: модуль памяти с CL = 7 и модуль памяти с CL = 9. Команда, выделенная синим цветом, означает команду «чтения».

Рис. 4. Задержка CAS (CL)

Память с CL = 7 обеспечивает снижение задержки памяти на 22,2 % по сравнению с памятью с CL = 9, учитывая, что обе работают с одинаковой тактовой частотой.

Вы даже можете рассчитать время задержки памяти до начала передачи данных. Период каждого тактового цикла можно легко рассчитать по формуле:

Таким образом, период каждого тактового цикла памяти DDR3-1333, работающей на частоте 1333 МГц (тактовая частота 666,66 МГц), будет составлять 1,5 нс (нс = наносекунда; 1 нс = 0,000000001 с). Имейте в виду, что вам нужно использовать реальную тактовую частоту, которая составляет половину заявленной тактовой частоты. Таким образом, эта память DDR3-1333 будет задерживать 10,5 нс, чтобы начать доставку данных, если она имеет CL = 7, или 13,5 нс, если она имеет CL = 9, например.

В памяти SDRAM, DDR, DDR2 и DDR3 реализован пакетный режим, при котором данные, хранящиеся по следующим адресам, могут покинуть память только за один такт. Таким образом, в то время как первые данные будут задерживать тактовые циклы CL для выхода из памяти, следующие данные будут доставлены сразу после предыдущих данных, которые только что вышли из памяти, не дожидаясь следующего цикла CL. Кроме того, память DDR, DDR2 и DDR3 передает два данных за такт, поэтому они помечены как имеющие вдвое большую тактовую частоту.

Влияние задержки RAS на CAS (tRCD) на скорость оперативной памяти

Рисунок 5. Задержка между RAS и CAS (tRCD)

Каждая микросхема памяти организована как матрица. На пересечении каждой строки и столбца у нас есть небольшой конденсатор, который отвечает за хранение «0» или «1» — данных. Внутри памяти процесс доступа к сохраненным данным выполняется путем активации сначала строки, а затем столбца, в котором она расположена. Эта активация осуществляется с помощью двух управляющих сигналов, называемых RAS (строб адресов строк) и CAS (строб адресов столбцов). Чем меньше времени между этими двумя сигналами, тем лучше, так как данные будут считаны раньше. На этот раз измеряется задержка RAS to CAS или tRCD. На рисунке 5 мы иллюстрируем это, показывая память с tRCD = 3.

Как видите, задержка RAS to CAS также является количеством тактовых циклов между командой «Активно» и командой «чтения» или «записи».

Как и в случае с задержкой CAS, задержка RAS to CAS работает с реальными часами памяти (что составляет половину помеченных часов). Чем ниже этот параметр, тем быстрее будет работать память, так как она раньше начнет чтение или запись данных.

Влияние предварительной зарядки RAS (tRP) на скорость оперативной памяти

Рисунок 6. Предварительно заряженный RAS (tRP)

После того, как данные собраны из памяти, необходимо выполнить команду Precharge, которая закроет
используемую строку памяти и позволит активировать новую строку. Время предварительной зарядки RAS (tRP) — это время, прошедшее между подачей команды Precharge и следующей активной командой. Как мы узнали из предыдущей страницы, команда Active запускает цикл чтения или записи.

На рисунке 6 показан пример памяти с tRP = 3.

Как и в случае с другими параметрами, предварительная зарядка RAS работает с реальными часами памяти (что составляет половину помеченных часов). Чем ниже этот параметр, тем быстрее будет работать память, так как она раньше выдаст команду Active.

Добавляя все, что мы видели, время, прошедшее между выдачей команды Precharge и фактическим получением данных, будет tRP + tRCD + CL.

Другие параметры, влияющие на тайминги оперативной памяти

Давайте подробнее рассмотрим два других параметра: задержку от активации до предварительной зарядки (tRAS) и скорость команд (CMD). Как и в случае с другими параметрами, эти два параметра работают с реальными часами памяти (которые составляют половину часов памяти, помеченных как часы). Чем ниже эти параметры, тем быстрее будет память.

Задержка между активным и предварительным зарядом (tRAS): после выдачи команды Active нельзя выполнить другую команду Precharge до тех пор, пока не истечет время tRAS. Таким образом, этот параметр ограничивает время, когда память может начать чтение (или запись) другой строки.
Command Rate (CMD): это время, затрачиваемое чипом памяти на активацию (через его CS — Chip Select — контакт) и когда любая команда может быть передана в память. Этот параметр имеет букву «Т». Возможные значения: 1T или 2T, что означает один тактовый цикл или два тактовых цикла соответственно.

Часто задаваемые вопросы

Насколько быстрой должна быть оперативная память для игрового ПК?

Для игр мы рекомендуем модули оперативной памяти, которые являются максимально быстрыми по очевидным причинам. Начнем с того, что в наши дни видеоигры не только занимают довольно много оперативной памяти, но и разделяют эти данные на такое количество сжатых файлов, что вам понадобится оперативная память, чтобы получить доступ ко всему как можно быстрее для бесперебойной работы. С учетом всего сказанного и сделанного, на момент написания этой статьи вам следует выбрать двухканальную оперативную память DDR4 или DDR5 с частотой 3000 МГц или более. Эти модули могут быть довольно дорогими, но это лучше, чем сталкиваться с узкими местами во время напряженных игровых сцен.

Влияют ли тайминги на оперативную память?

В целом мы обнаружили, что если вы копнете достаточно глубоко, вы обнаружите, что время определенно имеет значение. Это не повлияет на каждую игру или приложение, но, с другой стороны, имеет смысл хотя бы учитывать тайминги при покупке оперативной памяти, особенно если вы можете получить более жесткие тайминги по более низкой цене. При этом мы рекомендуем покупать оперативную память только у проверенных брендов и у проверенных розничных продавцов. Даже если теоретически гарантия на модуль ОЗУ действует пожизненно, на практике эта гарантия может быть легко аннулирована, если кто-то в прошлом вмешивался в модуль или если на нем слишком много слизи или жидкости.

Ограничена ли скорость оперативной памяти процессором?

На самом деле именно сочетание процессора и материнской платы ограничивает скорость DIMM. Скорость DIMM будет только достигать нижнего предела скорости между ЦП и материнской платой. Например, ЦП может поддерживать скорость до 1600, а материнская плата поддерживает скорость до 2400, но модули DIMM будут поддерживать скорость до 1600. Короче говоря, скорость вашего компьютера равна скорости его самого слабого компонента.

DDR3: Синхронная динамическая оперативная память с двойной скоростью передачи данных версии 3
Двойная скорость передачи данных означает, что эта память передает данные как по переднему, так и по заднему фронту тактового сигнала. Вот почему память DDR3 1600 МГц отображается как 800 МГц в cpuid. Это текущий тип памяти, используемый в современных системах. Он не имеет обратной совместимости ни с каким другим типом или памятью.

Тайминги. Когда мы говорим о таймингах, мы имеем в виду скорость, с которой контроллер памяти считывает и записывает один 64-битный блок в другой. Когда вы видите тайминги оперативной памяти, они обычно представлены следующим образом: 9-9-9-24 или CL-tRCD-tRP-Tras (см. ниже) есть более продвинутые тайминги оперативной памяти, но они наиболее важны, и мы рассмотрим остальные позже.

Время CAS или CL: CAS расшифровывается как Column Address Strobe. Он контролирует количество циклов ЦП между отправкой команды чтения и временем выполнения ее. Установка меньшего значения повысит производительность.

Задержка RAS to CAS или tRCD: количество циклов для выдачи активной команды и команд чтения/записи.

Минимальное время активности RAS или tRAS: это количество времени между активацией строки предварительной зарядкой и деактивацией. Строка не может быть деактивирована, пока не будет достигнут лимит tras. При разгоне таймингов необходимо держать tRAS = CL + tRCD+tRP (+/-1)

Command Rate: определяет количество циклов, в течение которых могут выполняться команды памяти. 1T — самая высокая производительность, чем выше скорость команд, тем стабильнее система.

Стандарты памяти JEDEC:
"Стандарты памяти JEDEC — это спецификации для полупроводниковых схем памяти и аналогичных устройств хранения данных, обнародованные Ассоциацией полупроводниковых технологий JEDEC, организацией по стандартизации полупроводниковой техники и торговли."

"Стандарт JEDEC 100B.01 определяет общие термины, единицы измерения и другие определения, используемые в полупроводниковой промышленности. JESC21-C определяет полупроводниковую память от 256-битной статической RAM до новейших модулей DDR3 SDRAM." Для наших целей в основном эта группа устанавливает стандарты в отношении того, как память должна работать в отношении скорости и таймингов.

В приведенной ниже таблице показано, как память должна распределяться по времени, чтобы быть "стандартной". Любое более низкое время на заданной скорости считается не соответствующим спецификации или разгоном. Большую часть времени при заданной скорости, если ЦП и плата рассчитаны на скорость передачи данных/пропускную способность, ЛЮБАЯ память должна работать на этом стандарте.

Профиль памяти Intel® Extreme

Профиль Intel® Extreme Memory Profile (Intel® XMP) позволяет разогнать совместимую память DDR3, чтобы производительность превышала стандартные характеристики. Это профиль автоматического разгона, протестированный производителем памяти. Этот профиль хранится в самой памяти, и биос вашей материнской платы может получить к нему доступ и применить его.
Извините, ребята из AMD, вы должны сделать это вручную, хотя, просмотрев профиль spd, вы можете вручную соответствовать таймингам/скорости.

SPD: обнаружение серийного присутствия — это стандартный способ, при котором информация о том, как память предназначена для работы, хранится в самой памяти. Обычно он состоит из нескольких стандартных профилей JEDEC и профиля XMP. Биос может извлекать эту информацию из памяти, чтобы правильно использовать память. Это, конечно, можно переопределить, в этом весь смысл разгона, но это всегда отправная точка.

Ниже показан скриншот spd, отображаемый CPUID.
Как видите, показанная оперативная память была продана как DDR3 2133, но она может работать только на 1333 и при этом соответствовать спецификации JEDEC! Кроме того, вы можете видеть, что его максимальная номинальная пропускная способность составляет 1333! Так что реально разогнанная DDR3 1333 продается как DDR3-2133! В настоящее время самая высокая доступная память — 1866, но ее почти невозможно найти или позволить себе, если вы это сделаете, почти все, что вы видите в продаже, — это 1333 или самое большее 1600!

Напряжение памяти: количество напряжения, подаваемого на память; Стандарт JEDEC для DDR составляет 1,5 В +- 0,075, за исключением DDR3L, который составляет 1,35 В
«Согласно JEDEC, 1,575 В следует считать абсолютным максимумом, когда стабильность памяти является главным фактором, например, в серверах. или другие критически важные устройства. Кроме того, JEDEC заявляет, что модули памяти должны выдерживать напряжение до 1,975 В, прежде чем они получат необратимое повреждение, хотя они не обязаны правильно функционировать при таком уровне."

VTT/ VCCIO/ I/O: это напряжение, подаваемое на контроллер памяти, которое часто упускается из виду при разгоне. Помните, что повышая разгон процессора, вы также увеличиваете пропускную способность памяти. Так много людей компенсируют это напряжением процессора, когда меньшее его и большее напряжение ввода-вывода сделали бы свое дело.

Расширенные тайминги памяти

В этом разделе я подробно расскажу о расширенных таймингах оперативной памяти. Если вы действительно не занимаетесь разгоном / переделкой, можно с уверенностью сказать, что вы можете остановиться на этом и оставить все это в автоматическом режиме. С другой стороны, поехали.

Ранг памяти. Ранг памяти – это набор модулей DRAM, подключенных к одному и тому же выбору микросхем и, следовательно, доступ к которым осуществляется одновременно. На практике они также совместно используют все остальные сигналы управления и контроля, и только выводы данных для каждой DRAM являются отдельными (но выводы данных являются общими для разных рангов).

Обновление памяти. Обновление памяти — это процесс периодического считывания информации из области памяти компьютера и немедленной перезаписи считанной информации в ту же область без изменений с целью сохранения информации.

Банк памяти. Банк памяти — это логическая единица хранения в электронике, которая зависит от аппаратного обеспечения. В компьютере банк памяти может определяться контроллером доступа к памяти и ЦП, а также физической организацией аппаратных слотов памяти.

Время цикла строки или tRC: задает количество циклов процессора, которое требуется строке памяти (помните, что память разделена на «ячейки», как в электронной таблице Excel), для завершения полного цикла. Полный цикл — от активации ряда до предварительной зарядки активного ряда. Этот параметр имеет большое влияние на скорость памяти, при этом чем меньше тайминг, тем быстрее. tRC= трас + tRP

Refresh to Activate Delay / Refresh Cycle Time или tRFC: устанавливает количество тактовых циклов от команды обновления до первой команды активации того же ранга.

Выбор режима обновления / Период обновления или tREF: устанавливает количество тактов, в течение которых будут выполняться обновления. БОЛЬШАЯ ЦЕННОСТЬ ДЛЯ БОЛЬШЕЙ ПРОИЗВОДИТЕЛЬНОСТИ

Write to Precharge Delay / Write Recovery Time или tWR: устанавливает количество тактовых циклов между завершением допустимой операции записи и до того, как активный банк может быть предварительно заряжен. Формула записи в предварительную зарядку: tCL -1 +(Burst Legnth / 2)+tWTR

Задержка от активации до активации или tRRD: количество тактовых циклов между активацией двух строк в разных банках одного ранга. (незначительный прирост производительности)

Задержка чтения до предварительной зарядки или tRTP: количество тактовых циклов между командой чтения и командой предварительной зарядки строки того же ранга.

Задержка от чтения до записи или tRTW: количество тактовых циклов между командой чтения и командой записи того же ранга.

Four Activate Window или tFAW: количество циклов, в которых разрешено четыре активации в пределах одного ранга.

Задержка от предварительной зарядки до предварительной зарядки или tPTP: количество циклов между командами предварительной зарядки для разных банков одного ранга.

Интервал команд записи/чтения или tWR-RD: количество тактов между командой записи и командой чтения другого ранга.

Интервал команд чтения/записи или tRD-WR: количество тактов между командой записи и командой записи разных рангов в одном и том же канале.

Принудительная автоматическая предварительная зарядка: принудительная автоматическая предварительная зарядка для каждой команды чтения и записи. Включено для экономии энергии

Максимальная асинхронная задержка: устанавливает максимальную задержку при передаче данных от процессора к оперативной памяти и обратно. Это указано в часах NB и включает асинхронные и синхронные задержки.

Обход очереди чтения/записи: сколько раз может быть пропущена самая старая операция в очереди чтения/записи контроллера DRAM.

Queue Bypass Max: Максимальное количество обходов самого старого запроса на доступ к памяти в очереди контроллера DRAM.

Таймер простоя барабана: количество часов, в течение которых контроллер барабана будет оставаться в состоянии ожидания, прежде чем он начнет предварительную зарядку всех страниц.

RAM 1 = Kingston DDR3 (799 ГГц, 11-11-11-28, 1T)

ОЗУ 2 = сектор 5 ПО УМОЛЧАНИЮ - XMP не включен в BIOS (533 МГц 7-7-7-20 1T)

ОЗУ 3 = Сектор 5 XMP включен (799 МГц 9-9-9-24 2T)

Плата = Gigabyte H97, игровая 3

Процессор = i5 4590

10 ответов

Джонстод

есть ли у вас доступ ко всем трем стикам?

Да.. Это скриншоты. Я устанавливаю их по очереди и делаю скриншоты на каждой

Больше памяти быстрее, может повысить производительность и риски.

Если вы хотите создать надежную конфигурацию, вам необходимо провести серию тестов компонентов.

Совет: проверьте нагрузочные температуры в игре и возможное присутствие пыли, которая может вызвать короткое замыкание и горячие точки.

Часто можно добавить подходящие радиаторы.

Все они имеют 4 ГБ ОЗУ. Я должен выбрать один.

Сомневаюсь, что вы заметите разницу в реальном использовании. При этом я бы выбрал Kingston.Обычно я использую память Kingston или Crucial.

Тот вариант с наименьшей задержкой CAS технически будет «более отзывчивым» при подкачке битов данных в самой оперативной памяти.

Прежде чем принять решение, вам потребуется провести еще несколько тестов производительности с разными чипами и сравнить результаты.

ТоддНХ

Вот что вам нужно знать. Частота — это скорость, с которой запрашивает процесс ОЗУ. Задержка — это время, которое требуется оперативной памяти для получения запроса.

Как правило, вам нужна высокая частота с малой задержкой. Однако по мере увеличения частоты оперативной памяти задержка также часто увеличивается, так что это баланс, который вам следует учитывать.

Надеюсь, это поможет!

Для DDR3: 1000 * [время] / [скорость (до удвоения)] = фактическое время синхронизации.

Итак, первое изображение, при 800 МГц (1 600) CAS составляет 13,75 нс, а при 685 МГц (1 333) – 13,13 нс.

Для 2-го и 3-го на частоте 800 МГц это 11,25 нс.

Меньшие значения времени лучше, так как они во многом определяют, насколько быстро адреса могут быть изменены. Но более высокая скорость означает, что меньше времени тратится на чтение или запись данных по шине. Будучи таймингами на уровне часов, увеличенные значения на более высоких скоростях близки к тем же реальным значениям, что и на более низких скоростях, поэтому работать медленнее с более короткими таймингами имеет смысл только в том случае, если вы не можете запустить его быстрее. У меня есть оперативная память с номинальной частотой 2133 МГц на материнской плате, которая работает только на частоте 1600 МГц, например, поэтому она работает на частоте 1600 МГц и 6-6-6, что является ее самым быстрым профилем JEDEC (плюс, кому не нравится чудовищная оперативная память?).

Однако, если у вас нет задачи, которая, как вы можете быть уверены, связана с производительностью памяти, ни то, ни другое не имеет большого значения, имея всего несколько МБ, свободных для ОС или приложения. Более медленная оперативная память всегда лучше, чем менее быстрая, если вы можете ее использовать. Кэши ЦП в наши дни не очень маленькие, если только вы не переходите на очень низкий уровень, а их способности предсказывать будущее достаточно хороши, поэтому вам действительно нужны тесты, чтобы увидеть разницу в большинстве случаев. В целом, последние процессоры Intel могут эффективно использовать частоту до 1866 МГц.

Мне больше всего нравится первый вариант, потому что он рассчитан на стандартное напряжение 1,5 В для частоты 1 600 МГц (фактически 800 МГц), и вам не следует добавлять медленную оперативную память к такому новому ПК. Стандартная оперативная память рассчитана на 1,5 В или ниже, поэтому я всегда с подозрением отношусь к перенапряжению интеграторов.

Дуиппс

Честно говоря, задержка CAS практически не имеет значения в реальных приложениях. Преимущества оперативной памяти выше 1600 МГц настолько малы, что они вообще редко заметны (или часто используются), поскольку большинство аппаратных средств и даже больше программного обеспечения не способны перемещать данные достаточно быстро, чтобы задержка или скорость действительно имели значение. Вашим узким местом в производительности почти всегда будет доступ к диску (будь то диск или SSD), почти независимо от того, что, и самая быстрая практическая скорость, которая покажет вам заметные улучшения в производительности, когда речь идет о ОЗУ, составляет 1600 МГц с самой низкой задержкой CAS, которую вы можете получить. не делая систему нестабильной. Тратить деньги на более высокую тактовую частоту или меньшую задержку на самом деле просто не стоит, потому что, как говорили другие, вы должны получить специализированные программы тестирования, чтобы хотя бы иметь возможность обнаружить любую разницу. Преимущества более производительного оборудования на самом деле очень малы. =\

Представитель бренда Kingston Technology

У вас есть два модуля DIMM Patriot с возможностью разгона, которые должны быть настроены на достижение частоты 1600 МГц CL9, и один JEDEC Spec Kingston ValueRAM DIMM, который по умолчанию работает на частоте 1600 МГц CL11. Деталь Kingston, которая у вас есть (KVR16N11S8/4), не предназначена для изменений, выходящих за рамки спецификаций JEDEC, то есть DDR3-1600 11-11-11 1,5 В. У нас есть другая линейка продуктов, предназначенная для разгона (более высокие частоты, меньшие задержки, переменное напряжение, сертификация Intel XMP), называемая «HyperX», которая сопоставима с модулями DIMM Patriot.В этой линейке продуктов используются DRAM (микросхемы памяти), протестированные с более высокими допусками.

Я рекомендую что-то вроде линейки Fury или Savage DDR3 для достижения более высоких скоростей и/или меньших задержек. Мы протестировали вашу модель Gigabyte с нашими модулями памяти Savage 1600Mhz CL9 DIMM (HX316C9SRK2/8).

ToddTMS и Ричард Петтигрю абсолютно правы. Вы можете использовать более высокую частоту (МГц) и/или более низкую задержку (CAS) для достижения более высокой производительности. Для некоторых все дело в частоте и максимальной скорости. Для других они могут достичь столь же хороших показателей с очень низкой задержкой, но не с такой высокой частотой. Это дискуссия, которая продолжается в течение многих лет в сообществе O/C. Для наших модулей DIMM мы предлагаем довольно хороший баланс обоих вариантов.

Профили Intel XMP — это самый простой способ добиться надежной настройки производительности без необходимости настройки и синих экранов.

Надеюсь, это было полезно? Дайте мне знать, если у вас возникнут дополнительные вопросы, я буду рад помочь.

Эта тема заблокирована администратором и больше не открыта для комментариев.

Чтобы продолжить это обсуждение, задайте новый вопрос.

Связывание домена Windows и домена веб-сайта?

Что может вызвать мерцание экрана?

У меня есть настольный компьютер Dell OptiPlex, который вызывает проблему мерцания экрана. Пожалуйста, проверьте это изображение ниже: Я сделал следующее, но все же мне повезло: Заменил монитор и кабели. Обновлен BIOS. Переустановил драйвер дисплея. Заменил оперативную память. р>

Искра! Серия Pro – 21 марта 2022 г.

Здравствуйте, ребята, я должен запустить эту Искру! с извинением. Я не устанавливал напоминания для этой статьи и, следовательно, забыл подготовить ее на выходных. Просто для этой цели сегодня было что-то вроде безумия в t.

Щелкни! Обновление Linux, Паролей больше нет?, Атаки BitB, Juno Pictures, Новый лед

Ваша ежедневная доза технических новостей. Вы должны это услышать. Появляется Linux 5.17: Вот что внутри Торвальдс и его команда снова обновили ядро Linux, после некоторых трудных времен из-за некоторых изменений, внесенных в последнюю минуту. Работа начинается на n.

Удобные наушники для работы из дома — чтобы слышать шум, но не передавать его

Поскольку все больше и больше людей работают из дома, требования к функциям гарнитур немного изменились. Теперь многим людям не нужны гарнитуры, которые полностью изолируют их от окружающей среды, потому что рядом с ними может находиться ребенок, которому нужно быть собой.

Читайте также: