Какое напряжение должно быть на оперативной памяти ddr4

Обновлено: 21.11.2024

Начинающие пользователи: Intel® Extreme Memory Profile (Intel® XMP).

Пользователи среднего уровня: расширенные профили памяти.

Продвинутые пользователи: разгон вручную.

Разгон ОЗУ может привести к увеличению скорости памяти и повышению производительности вашего ПК. Вот как это сделать. 1

О разгоне часто думают в контексте процессора или графического процессора, но вы также можете разогнать ОЗУ (оперативную память) для достижения более высоких скоростей.

Скорость оперативной памяти, измеряемая в МГц, относится к скорости передачи данных. Чем выше скорость передачи данных, тем выше производительность оперативной памяти. Разгон оперативной памяти включает в себя изменение определенных параметров, таких как тайминги и напряжения, чтобы модули могли работать на более высоких скоростях, чем они могли бы быть изначально.

Изменение тактовой частоты или напряжения может привести к аннулированию любых гарантий на продукт и снижению стабильности, безопасности, производительности и срока службы процессора и других компонентов.

Как работает разгон оперативной памяти?

В оперативной памяти ПК хранятся данные, используемые процессором. Как и в случае с любым узким местом, чем дольше ЦП ожидает получения необходимой ему информации из ОЗУ, тем менее эффективной является его работа. Более высокая скорость ОЗУ может быстрее передавать данные процессору, что потенциально повышает производительность вашего ПК.

Производительность оперативной памяти в первую очередь зависит от ее рабочей частоты, а также характеристик задержки, которые часто называют «таймингами».

Оперативная память с более высокой частотой обеспечивает более быструю передачу данных. Однако в случае таймингов чем меньше, тем лучше. Это связано с тем, что каждый тайминг соответствует определенной задержке или времени между операциями. Чем меньше время между операциями, тем лучше.

Частота и время

В идеальном мире оперативная память должна иметь высокие частоты и низкие тайминги. Их необходимо рассматривать вместе, чтобы определить общую производительность ОЗУ.

Обычно приходится идти на компромиссы, чтобы поднять одно или понизить другое. Проще говоря, когда модуль памяти работает на высокой частоте, его сложнее поддерживать стабильно. Чтобы сбалансировать проблемы со стабильностью на высоких скоростях, тайминги памяти часто увеличиваются. Это увеличивает время (задержку) между операциями и помогает поддерживать стабильность передачи. Увеличенная задержка снизит производительность и потенциально сведет на нет выигрыш от более высокой частоты, в зависимости от размера увеличения частоты.

Производители модулей памяти знают об этом и тщательно отбирают микросхемы памяти для каждой флешки, тестируя и соединяя модули памяти, которые могут обеспечить максимально возможную производительность. Эта дополнительная квалификация и усилия часто приводят к более высокой цене, поэтому высокоскоростная оперативная память с малой задержкой обычно стоит дороже.

И то, и другое важно, но, как правило, более высокие частоты часто перевешивают время, когда речь идет о влиянии на производительность для среднего пользователя.

Вот пример этикетки оперативной памяти, на которой показаны характеристики частоты и времени. Это модуль DDR4, работающий на частоте 3200 МГц. Строка чисел, в данном случае 14-14-14-34, относится к стандартным таймингам оперативной памяти.

Установление базового уровня

При разгоне любого оборудования, включая оперативную память, важно установить базовый уровень производительности, прежде чем изменять какие-либо настройки. Это позволит вам наглядно увидеть результаты своих усилий и сравнить разницу с показателями акций.

Прежде чем приступать к разгону, запустите утилиту для тестирования, чтобы установить этот базовый уровень. Есть несколько программ, которые позволят вам сделать это, например, memtest86+ (для которого требуется загрузочный диск), Aida64, MaxxMEM2 или программное обеспечение для тестирования производительности. После запуска теста по вашему выбору обязательно сохраните результаты для последующего сравнения.

Теперь пора приступить к разгону. Мы рассмотрим три различных метода разгона оперативной памяти, в зависимости от того, являетесь ли вы новичком, средним или продвинутым оверклокером.

Начинающие пользователи: Intel® XMP

Если вы новичок в разгоне оперативной памяти, вы можете обнаружить, что технология Intel® Extreme Memory Profile (Intel® XMP) — это отличный способ добиться сверхвысоких скоростей без необходимости слишком углубляться в детали. Модули памяти, совместимые с Intel® XMP, имеют предустановленные оптимальные настройки, и многие материнские платы могут определять эти настройки и автоматически применять их без необходимости вручную изменять частоты, тайминги и напряжения.

Чтобы найти настройки Intel® XMP, вам необходимо войти в BIOS вашего ПК.

Часто параметр Intel® XMP предлагает вам возможность переключения между несколькими профилями, которые обеспечивают различные уровни производительности разгона.Это может варьироваться в зависимости от производителя материнской платы и памяти, но обычно один из них обеспечивает более стабильный разгон, а другой может быть более амбициозным с точки зрения своих целевых показателей производительности. Выберите то, что имеет смысл для вас, и помните, что вы можете изменить его позже.

Выберите профиль, который хотите использовать, сохраните и примените настройки, а затем перезагрузите компьютер.

Intel® XMP упрощает разгон оперативной памяти, применяя правильные настройки для ваших модулей в соответствии с рекомендациями производителя модуля памяти.

На снимке экрана выше вы увидите настройки, используемые для наших модулей оперативной памяти:

Установите частоту памяти на 3200 МГц.
Установите время на 14-(14)-14-34.
Установите напряжение памяти на 1,35 В.

После применения изменений и перезагрузки повторно зайдите в программное обеспечение, которое вы использовали для получения начальной оценки, и снова запустите его. В приведенных ниже примерах мы использовали Aida64, которая предлагает бесплатную пробную версию.

Стандартный: мы получаем от 32 до 33 ГБ/с с задержкой 60 нс (наносекунд).

С активированным Intel® XMP мы получаем от 46 до 48 ГБ/с. Задержка теперь составляет всего 47 нс.

Пользователи среднего уровня: расширенные профили памяти

Хотя Intel® XMP прост в использовании и оптимизирует производительность в соответствии со спецификациями производителя, он может не обеспечивать гибкость и уровень настройки, которые могут потребоваться некоторым пользователям.

Если вы хотите внести эти изменения самостоятельно, некоторые материнские платы предоставляют доступ к инструментам для настройки параметров памяти. (Не все материнские платы предлагают эти расширенные профили памяти; они обычно встречаются на материнских платах высокого класса, предназначенных для энтузиастов разгона.) Это идеально подходит для пользователей, которые хотят более детального управления, чем предлагает Intel® XMP, но не обязательно заинтересованы в деталях. ручной настройки отдельных параметров.

Чтобы начать этот процесс, войдите в BIOS.

Находясь в BIOS, исследуйте меню, пока не найдете раздел, позволяющий настраивать профили памяти. Если у вас возникли проблемы с поиском этих параметров, обратитесь к документации по системной плате за дополнительной информацией.

В нашем случае мы попробовали несколько вариантов и в итоге использовали профиль 3400 МГц. Это на 200 МГц больше, чем у профиля Intel® XMP 3200 МГц, и на 734 МГц больше, чем штатная частота 2666 МГц. Этот профиль также имеет более жесткие тайминги, что в целом улучшает производительность нашей оперативной памяти.

Теперь мы измеряем от 50 до 53 ГБ/с при задержке 45 нс.

Очевидным ограничением нашего примера является тот факт, что мы используем четыре модуля по 8 ГБ. Один из способов добиться более высокой производительности при разгоне — сократить количество установленных модулей до двух, поскольку многие материнские платы испытывают трудности с поддержанием более высоких скоростей при увеличении нагрузки на слоты памяти.

Как и при других методах разгона оперативной памяти, вам потребуется перезагрузить систему и запустить тест после каждого внесенного вами изменения, чтобы сравнить результаты и убедиться в стабильности системы.

Продвинутые пользователи: ручной разгон памяти

Продвинутым оверклокерам может потребоваться еще более детальный контроль, помимо Intel® XMP и расширенных профилей памяти. Если это так, внесение изменений вручную может быть лучшим путем вперед. Имейте в виду, что это может занять много времени. Даже опытные специалисты по разгону памяти нередко тратят часы на то, что в конечном итоге приводит к небольшому увеличению производительности. Тем не менее, этот метод позволяет наиболее точно контролировать разгон, что идеально подходит для некоторых пользователей.

Фундаментальный принцип ручного разгона оперативной памяти довольно прост и аналогичен процессу разгона процессора. Он включает в себя тщательную настройку параметров, таких как тайминги памяти, из BIOS, чтобы найти комбинацию, которая приводит к более высоким скоростям, тестирование, чтобы увидеть, был ли процесс успешным, а затем повторную попытку, пока вы не достигнете идеального баланса максимальной стабильной частоты с самым жестким тайминги.

При настройке частоты, напряжения и таймингов ОЗУ, чтобы найти правильный баланс для вашего оборудования, вы должны помнить о следующих вещах:

Чтобы стабилизировать более высокие частоты, вам нужно увеличить (ослабить) тайминги. Это также может потребовать увеличения напряжения.
Чтобы повысить производительность при стабильной текущей частоте, следует уменьшить (ужесточить) тайминги.
Если вы хотите сократить время, действуйте методично. На большинстве материнских плат существует множество таймингов, которые можно изменить в BIOS.
Многие утилиты BIOS отображают тайминги по умолчанию. Например, если ваша память использует 15-15-36, вы можете попробовать изменить ее на 14-14-34 в качестве первого шага.
Поэкспериментировав с таймингами памяти, вам может понадобиться изменить входное напряжение памяти.Как и при разгоне ЦП, увеличение входного напряжения компонента приведет к увеличению энергопотребления и увеличению тепловыделения.
Напряжение памяти — ключевой фактор стабильного разгона. В стандартном случае разгона памяти считайте 1,5 В максимальным, но стремитесь к меньшему, когда это возможно. Будьте осторожны с изменениями напряжения и держите их как можно ниже при тестировании.
Некоторые материнские платы не поддерживают высокое напряжение памяти и, следовательно, не будут загружаться при слишком высоком напряжении. Попробуйте снизить напряжение.
При разгоне ОЗУ часто существует потолок, при котором повышение производительности не приведет к дополнительному приросту производительности. После достижения определенной частоты дальнейшее увеличение может не привести к повышению производительности, поскольку материнская плата автоматически регулирует тайминги, чтобы поддерживать стабильность системы. Если вы обнаружите, что не получаете дополнительной производительности после продолжительной настройки, возможно, вы достигли пределов возможностей вашего оборудования.
Может потребоваться довольно много экспериментов, пока вы не найдете правильную комбинацию частот, напряжений и таймингов для вашего оборудования.
Вносите небольшие постепенные изменения в любые настройки и проверяйте стабильность между каждой попыткой.

После того, как вы изменили настройки, создав комбинацию, которая, по вашему мнению, может быть успешной, снова перезагрузитесь в Windows и протестируйте ее с помощью тестовой утилиты, чтобы проверить стабильность и прирост производительности. Если вы хотите продолжить попытки повысить производительность, вернитесь в BIOS и продолжите процесс тестирования.

Сохраняйте свои настройки каждый раз, когда вы найдете комбинацию, которая приводит к успешной загрузке и разгону, даже если вы хотите продолжать попытки повысить производительность. Вполне возможно, что многие из ваших попыток не увенчаются успехом, а любые внесенные вами изменения будут утеряны после неудачной пробной версии. Убедитесь, что вы сохраняете как можно чаще, это сэкономит ваше время и избавит вас от необходимости начинать все сначала при каждой новой попытке.

Привет всем, я новичок во всем этом и только недавно собрал свой первый компьютер пару недель назад, так что извините меня, если чтение этого заставит вас пару раз поморгать.

Итак, основные компоненты, которые я использую, — это r5 3600, 5700xt, Corsair Vengeance rgb pro 2x8 ГБ DDR4 3600 МГц и B450 Tomahawk Max.

Когда я впервые собрал свой компьютер, мой друг немного помог мне и сказал, что мне нужно вручную изменить скорость моей оперативной памяти до ее полного потенциала (3600 МГц) в BIOS, вскоре после того, как у меня возникли проблемы с постоянным сбоем каждый раз. Около 20 минут, играя в warzone, и я не знал, что делать, поэтому я вернул скорость оперативной памяти к исходной настройке (2166 МГц).

Заметив, что мой FPS значительно ниже, и проведя некоторые исследования, я обнаружил, что скорость оперативной памяти значительно влияет на FPS для AMD, и быстро поднял скорость до 3200 МГц, а также поднял напряжение DRAM с предустановленного значения 1,2 до 1,35. Казалось, все работает нормально, но я все еще хотел получить максимальную производительность от 3600 МГц, поэтому решил попробовать еще раз, но на этот раз поднимите напряжение. Поскольку использование DRAM на 3200 было 1,36-1,38 (чуть больше заданного мной значения), я решил поднять напряжение до 1,4 В и изменить скорость до 3600 МГц, и именно тогда ПК перестал работать, оба монитора полностью почернели, и я погрузился в режим полномасштабной паники, думая, что я навсегда испортил свой компьютер и потратил кучу денег впустую; К счастью, сброс CMOS сделал свое дело, и теперь я снова на частоте 3200 МГц и немного боюсь снова ее включать.

Итак, мои вопросы...

Почему мой компьютер перестал работать, когда я увеличил частоту до 1,4 В / 3600 МГц (скорость купленной мной оперативной памяти)?

Какое напряжение я должен использовать с 3600 МГц, зная, что он не запустится, когда я поставлю его на 1,4?

Почему напряжение DRAM было немного выше (1,36–1,38), чем установленное мной значение 1,35?

Зная, что 3200 МГц использует 1,36–1,38 В, очевидно, что 3600 МГц будет использовать 1,4 В +, так что мне делать?

У меня есть две планки оперативной памяти Vengeance LPX 3000 МГц. Какое напряжение следует установить для них при разгоне до 2933 МГц и 2666 МГц?

Потерянный швед

1,2 В — стандартное напряжение для DDR4, но, возможно, не для 2933. Попробуйте 1,3 или 1,25 В.
Зачем вам снижать частоту оперативной памяти?

аврона

Процессор	AMD Ryzen 7 3700x
Материнская плата	Aorus X570 Elite
Охлаждение	Prism Wraith
Память	Corsair Vengenace LPX 2x8GB @ 3000MHz
Видеокарты	Aorus GTX 1080 Ti
Хранилище	1x 1 ТБ PCIe 4.0 NVMe, 2x жестких диска по 1 ТБ, 1x 120 ГБ SSD
Дисплеи	ASUS MG28U
Корпус	Corsair 110R
Аудиоустройства	Карта Sound Blaster Z, Sennheiser GSP 600, Razer Nommo
Источник питания	be Quiet! Мощность системы 9
Мышь	Logitech G502 Lightspeed
Клавиатура	Logitech G512 SE

Потерянный швед

2666 должен работать при напряжении 1,2 В, но вам просто нужно попробовать. То есть система либо работает, либо нет.
Возможно, вам придется уменьшить тайминги, если вы хотите низкое напряжение и более высокие скорости.

капоне32

< /tr> < /tr> < td>Logitech G510

Клавиатура
Имя системы	Лучший компьютер AMD
Процессор	AMD 5900X
Материнская плата	MSI X570 Strix-E
Охлаждение	В Win SR36
Память	ADATA D60 3600MHZ 32 ГБ
Видеокарты	MSI 6800XT Gaming Trio X
Хранилище	Seagate 530 1 ТБ, Adata SX8200 2 ТБ x 2, Kingston 2 ТБ x 2, Micron 8 ТБ
Дисплей(ы)	GIGABYTE 32QC
Корпус	PHANTEKS ENTHOO PRO 2
Аудиоустройство(а)	Corsair Void Pro, Logitch Z523 5.1
Блок питания	Corsair HX1200!
Мышь	Игровая мышь Logitech g7
Программное обеспечение	Windows 10 Pro 64 Steam. GOG, Uplay, Origin
Результаты тестов	Firestrike: 24955 Time Spy: 13500

Вам нужно будет проверить, поддерживает ли ваша оперативная память 1.2, но я бы не стал беспокоиться об этом, так как пониженное напряжение ОЗУ на самом деле бессмысленно. Когда вы выбираете скорость в BIOS, он должен соответствующим образом регулировать напряжение, но останется на уровне 1,35, что является настройкой по умолчанию для вашей оперативной памяти. Я предполагаю, что вы давно не обновляли свои спецификации, так как они все еще показывают, что у вас есть процессор FX.

аврона

Процессор	AMD Ryzen 7 3700x
Материнская плата	Aorus X570 Elite
Охлаждение	Prism Wraith
Память	Corsair Vengenace LPX 2x8GB @ 3000MHz
Видеокарты	Aorus GTX 1080 Ti
Хранилище	1x 1 ТБ PCIe 4.0 NVMe, 2x 1 ТБ жесткий диск, 1x 120 ГБ SSD
Дисплеи	ASUS MG28U
Корпус	Corsair 110R
Аудиоустройства	Карта Sound Blaster Z, Sennheiser GSP 600 , Razer Nommo
Блок питания	be Quiet! Мощность системы 9
Мышь	Logitech G502 Lightspeed
Клавиатура	Logitech G512 SE

Мой BIOS не настраивает их автоматически, поэтому я спрашиваю здесь. Также нет, сейчас я не использую fx на своем основном ПК.

Безумный голландский чувак

< th>Клавиатура

Имя системы	Fatboii
Процессор	AMD Ryzen 7 3700X @ 4,2 ГГц (все ядер)
Материнская плата	ASUS Crosshair VIII Hero WiFI
Охлаждение	Пользовательская вода
Память	Patriot Viper Steel 2x8GB @ 3733 14-15-15-34-52-1T
Видеокарты	EVGA GTX 1080 Ti FTW3 под водой
Хранилище	Samsung SM951 256 ГБ + 860 EVO 1 ТБ
Дисплей(ы)	ASUS ROG PG278Q 144 Гц
Корпус th>	Закаленное стекло Fractal Design R6
Аудиоустройства	Встроенные
Блок питания	EVGA SuperNOVA G3 850 Вт
Мышь	Logitech G502
Ключи Cooler Master Pro L
Программное обеспечение	Win 10 Pro
Результаты тестов	Я играю только на этой системе. создан для тишины, а не для абсолютной максимальной производительности. ;)

ЗолотойX

Пониженное напряжение ОЗУ не сильно поможет снизить энергопотребление.
Во всяком случае, сейчас у меня частота 2933 МГц при стандартном напряжении 1,2 В. При нормальной задержке вы сможете архивировать что-то подобное.

материал

Имя системы	Ciel / Yukino
Процессор	AMD Ryzen R5 5600X / Intel Core i3 5005U
Материнская плата	Asus Tuf Gaming B550 Plus / HP 240 G5
Охлаждение	ID-Cooling 224-XT Basic
Память	2x 8GB Geil Orion AMD Edition 3600MHz@3800MHz
Видеокарты	Dell 1660 SUPER + Sentey RX 550 2 ГБ
Хранилище	SSD ADATA FALCON 512 ГБ PCIe3.0 + жесткий диск WD 4 ТБ
Дисплей(-и)	Samsung S22F350
Корпус	Cougar MX410 Mesh-G
Аудиоустройство(я)	Realtek ALC S1200A
Блок питания	Aerocool KCAS-500W
Мышь	Logitech G203
Клавиатура	VSG Alnilam
Программное обеспечение	Windows 10 x64 / Manjaro x64

< td>Arctic Freezer eSports Duo

Охлаждение
Название системы	Материал / Helios 300 Predator
Процессор	Ryzen 7 2700 / i7 7700HQ
Материнская плата	B450 Tomahawk / Acer Helios 300 Predator
Память	Patriot Viper ddr4 32 ГБ / 32 ГБ gskill ddr4
Видеокарта(ы)	MSI RTX 2080 Super Ventus OC / GTX 1060 6 ГБ
Память	Patriot Viper nvme M2, критическая MX300 275 ГБ, Samsung 860 qvo 1 ТБ
Дисплей(-и)	Acer 24" 1080p / 15,6 1080p HD
Корпус	Antec 300 / Acer Helios 300 Predator
Аудиоустройство(я)	На борту — стальная серия Arctis Pro Wireless Cans
Блок питания	Antec 850 ватт, сильноточный профессиональный
Мышь	Стальная серия Rival 600
Клавиатура	Corsair K70 / Acer Helios 300 Predator
Соф tware	Win 10 Pro / Win 10 Home

Вам необходимо обновить технические характеристики системы, чтобы люди могли лучше вам помогать. Да, новые материнские платы имеют автоматическую настройку для оперативной памяти, а также настройку XMP для профилей OC для оперативной памяти. обновите свои спецификации
Ваша оперативная память 2933 будет работать только на скоростях 2666. Напряжение по умолчанию для 2666 тоже в порядке. Не рекомендуется смешивать совпадающие оперативную память и скорости, потому что это может вызвать нестабильность системы, и вы вернетесь, задавая больше вопросов, почему моя система работает вяло или что-то в этом роде.
Прежде чем вы еще раз скажете, что у вас нет автоматической настройки, обновите свои спецификации или привяжите новую материнскую плату.

Tatty_One

Старший модер@tor

У меня Vengeance LPX Ram, я пошел наоборот, штатное напряжение на 3000 МГц составляет 1,30 для моего @ CL15 (я думаю), я могу сделать 3200 МГц на CL16 или 3100 МГц на CL15 оба на 1,35 В @ 1T. для вас я бы просто был в безопасности и установил 1,30 В для любой скорости и оставил его там, я не сомневаюсь, что 2666 будет работать при 1,25 В, но маловероятно, что 2933 будет работать, если вы не настроите тайминги соответствующим образом.

Если вы действительно хотите поддерживать низкое напряжение, то, возможно, оставьте 1,25 В, и вы сможете установить 2666 @ CL14, а также 1,25 В, вы можете обойтись 2933 @ CL16, поиграйте.

аврона

Имя системы	Серый
Процессор	Intel Comet Lake Core i5 10600K
Материнская плата	MSI MAG Z490 TOMAHAWK
Охлаждение	Artic Cooling Liquid Freezer II 280 мм AIO + 4 корпусных вентилятора Phantek 140 мм
Память	16 ГБ Patriot Viper Steel DDR4 4133 МГц @ 17-17-17-32 2T 1,45 В
Видеокарты	Gigabyte RTX 2060 SUPER Windforce OC 8 ГБ
Хранилище	WD Blue SN550 1 ТБ M.2 NVME//SkHynix 120 ГБ SSD//CrucialM4 64 ГБ SSD
Дисплей(-и)	AOC Q2781PQ 27 дюймов Ultra Slim 2560 x 1440 IPS
Корпус	Phanteks Enthoo Pro M Windowed — Gunmetal
Аудио Устройство(а)	Встроенный Realtek ALC1200-VD1 @ 5.1 Surround через SPDIF/Sony AVR
Источник питания	Seasonic Core Gold 650 Вт Полумодуль
Мышь	Coolermaster Storm Octane проводная
Ключ oard	Турнирный механизм Element Gaming Carbon Mk2
Программное обеспечение	Win 10 Home x64

Процессор	AMD Ryzen 7 3700x
Материнская плата	Aorus X570 Elite
Охлаждение	Prism Wraith
Память	Corsair Vengenace LPX 2x8GB @ 3000MHz
Видеокарты	Aorus GTX 1080 Ti
Хранилище	1x 1 ТБ PCIe 4.0 NVMe, 2x жестких диска по 1 ТБ, 1x 120 ГБ SSD
Дисплеи	ASUS MG28U
Корпус	Corsair 110R
Аудиоустройства	Карта Sound Blaster Z, Sennheiser GSP 600, Razer Nommo
Источник питания	be Quiet! Мощность системы 9
Мышь	Logitech G502 Lightspeed
Клавиатура	Logitech G512 SE

Я думаю, вы просто неправильно поняли мой пост. Моя оперативная память не 2933, а 3000, и я хочу знать, какое напряжение установить при разгоне до 2933 и 2666.

Я не пытаюсь снизить энергопотребление или что-то в этом роде, поэтому мне просто нужно знать, на какое напряжение их установить, чтобы оно было стабильным или что-то еще, никогда раньше не разгонял оперативную память.

Оперативная память является важным компонентом компьютера. Он используется временно во время выполнения программ, потому что он намного быстрее, чем жесткие диски или твердотельные накопители, на которых они хранятся. Вы можете узнать больше на странице «Что такое оперативная память?».

На этой странице мы более подробно рассмотрим числа, которые появляются в спецификациях оперативной памяти DDR4, и их значение.

Crucial Ballistix MAX DDR4-4400

Пиковая скорость передачи ОЗУ DDR4

ОЗУ — это электронные схемы, использующие часы с частотой порядка 1 ГГц для выполнения команд и передачи данных. Пиковая скорость передачи памяти зависит от ее частоты и от того, сколько команд она может выполнять за каждый такт. Аббревиатура DDR расшифровывается как «Двойная скорость передачи данных» и, следовательно, означает, что за каждый такт могут выполняться две команды или передачи данных.

Например, если частота памяти DDR составляет 1600 МГц, она может выполнять 2 × 1600 = 3200 миллионов передач в секунду. Эта скорость передачи выражается в МТ/с (миллионы передач в секунду) и обычно включается в спецификации ОЗУ. Ее часто путают с реальной частотой памяти, выраженной в МГц. Например, модуль памяти DDR4-3200 может выполнять 3200 миллионов передач в секунду (отмечено 3200 МТ/с), а его тактовая частота составляет 1600 МГц.

td>

Частота	Передачи данных в секунду	Максимальная скорость	Имя
1200,00 МГц	2400,00 МТ/с< /td>	19200 МБ/с	DDR4-2400 / PC4-19200
1333,33 МГц	2666,67 МТ/ s	21333 МБ/с	DDR4-2666 / PC4-21300
1466,67 МГц	2933,33 МТ/с	23467 МБ/с	DDR4-2933 / PC4-23400
1500,00 МГц	3000,00 МТ/с	24000 МБ/с	DDR4-3000 / PC4-24000
1600,00 МГц	3200,00 МТ/с	25600 МБ/с	DDR4-3200 / PC4-25600
1800,00 МГц	3600,00 МТ/с	28800 МБ/с	DDR4-3600 / PC4-28800
2000,00 МГц	4000,00 МТ/с	32000 МБ/с	DDR4-4000 / PC4-32000
2200,00 МГц	4400,00 МТ/с	35200 МБ/с	DDR4-4400 / PC4-35200

Как правило, чем выше максимальная скорость, тем быстрее память и выше ее цена. Обратите внимание, что самые высокие скорости памяти не всегда поддерживаются всеми процессорами. Перед покупкой сверхбыстрого модуля памяти важно проверить в технических характеристиках процессора и материнской платы, какую максимальную скорость оперативной памяти они поддерживают. Некоторые процессоры и материнские платы иногда могут использоваться с более высокими скоростями памяти, чем те, которые официально поддерживаются. На форумах, посвященных разгону этих компонентов, вы найдете дополнительную информацию по этому вопросу.

Чипы памяти

Внутренняя архитектура памяти DDR44

Важно понимать внутреннюю архитектуру памяти DDR4, чтобы понять некоторые дополнительные характеристики.

Каждый бит информации хранится в небольшом конденсаторе в одной из микросхем модуля памяти. Если этот конденсатор содержит электроны (он заряжен), значение бита равно «1», в противном случае — «0». Зарядка или разрядка конденсатора контролируется небольшим транзистором, который работает как клапан, пропускающий или не пропускающий электроны. Конденсаторы со временем разряжаются естественным образом, поэтому содержимое оперативной памяти теряется, например, при выключении компьютера. Поэтому их содержимое должно постоянно обновляться (каждые десять наносекунд или около того), чтобы конденсаторы не «забывали» значение бита.

Поэтому мы можем представить модуль памяти в виде огромной матрицы конденсаторов и транзисторов. Если вы изучите модуль ОЗУ, вы увидите, что он состоит из разных микросхем, более крупные из них содержат массивы конденсаторов и транзисторов, в которых хранятся битовые значения.

Чтобы повысить производительность памяти, доступ к битам осуществляется параллельно. Это одна из причин, по которой модули памяти DDR4 организованы в группы банков памяти, затем банки памяти и, наконец, строки и столбцы битов.

Чтобы получить представление об этой организации, представьте, что модуль памяти DDR4 (это также относится к памяти DDR5) похож на бизнес-здание, заполненное шкафами и файлами. Тогда группа банков памяти будет соответствовать этажу здания, банк памяти будет одним из шкафов этажа, строка будет обозначать ящик в этом шкафу, а столбец будет папкой в этом ящике.

Ящики с битами

Когда программе необходимо получить доступ к одному из байтов памяти, она идентифицирует его числом, называемым логическим адресом. Контроллер памяти преобразует этот логический адрес в физический адрес, который идентифицирует группу банков памяти, банк памяти, строку и столбец, чтобы получить доступ к информации.

Задержка памяти

Хотя модули памяти работают быстро, передача данных в память и из памяти происходит не сразу. Давайте возьмем пример бизнес-здания, чтобы понять это. Если мне нужно получить доступ к определенному файлу, я должен подняться на лифте, чтобы подняться на этаж, где он находится, найти нужный шкаф, открыть правый ящик, прежде чем искать файл, который я ищу. Если мне нужен второй файл в том же ящике, это легко, мне просто нужно искать его по номеру. Если, с другой стороны, он находится в другом ящике, другом шкафу или на другом этаже, это займет больше времени.

Это более или менее то же самое, что мне нужно для доступа к данным модуля памяти: доступ к данным будет быстрее, если нет необходимости менять линию банка памяти (ящик), и медленнее в противном случае. Этот пример немного упрощен по сравнению с доступом к данным модулей памяти, но дает представление о дополнительном времени (называемом задержкой), необходимом для доступа к данным. В случае с модулями памяти все делается параллельно, как будто несколько человек ищут папки в здании и все работает на тактовой частоте памяти.

CAS (строб адреса столбца): количество тактовых циклов между отправкой запроса столбца (в нашем примере «папка») в память и получением данных, когда правильная строка («ящик») уже открыта.< /li>
tRCD (задержка RAS-CAS): количество тактовых циклов, которое контроллер памяти должен ожидать, чтобы активировать новую строку (чтобы открыть новый «ящик»).
tRP (предварительная зарядка строки): количество тактов, в течение которых контроллер памяти должен ожидать закрытия текущей неправильной строки (неправильного «ящика») перед открытием новой.
tRAS (время активности строки): количество тактов, которое контроллер памяти должен ожидать между открытием и закрытием строки («ящик»).
CMD (Command Rate): количество тактовых циклов между выбором микросхемы памяти и выполнением команды. Типичные значения: 1T и 2T.

Меньшие задержки улучшат производительность памяти DDR4, чем они ниже для памяти определенной скорости, тем быстрее будет работать оперативная память. В любом случае скорость модуля памяти важнее задержек, и их следует учитывать только при сравнении двух модулей памяти с одинаковой скоростью.

Группы и каналы банка памяти

Число групп банков памяти — еще один важный параметр производительности модуля памяти, но эта информация не всегда предоставляется производителями. Если вы внимательно изучите этикетку модуля оперативной памяти, вы, тем не менее, можете обнаружить, что иногда это может помочь вам идентифицировать эту информацию.Это множитель, который отображается как ×4 (часто для памяти сервера), ×8 или ×16. Чем меньше этот множитель, тем больше будет групп банков памяти для одного и того же объема памяти. Например, модуль памяти объемом 8 ГБ может иметь множитель ×8 или ×16. Если это ×8, это означает, что есть 4 группы банков памяти, а если множитель ×16, то их будет только 2. Количество групп банков памяти определяет количество команд, которые модуль ОЗУ может выполнять параллельно, чем он больше и тем лучше он будет выполняться.

Samsung DDR4 x8

С другой стороны, современные процессоры могут использовать несколько каналов памяти и отправлять команды модулям памяти параллельно. Производительность компьютера обычно улучшается, если в нем установлено 2 или даже 4 модуля памяти вместо одного. Поэтому лучше установить два модуля памяти по 8 ГБ, а не один модуль на 16 ГБ. Это особенно верно для компонентов, требующих очень быстрой памяти, таких как встроенные графические процессоры. Это имеет место, например, если кто-то хочет воспроизводить видео с помощью iGPU микропроцессора, если на компьютере нет графической карты. Наличие двух модулей быстрой памяти вместо одного значительно улучшит производительность в этом случае.

Напряжение памяти DDR4

Стандартное напряжение модулей памяти DDR4 составляет 1,2 В, но в спецификациях быстрых модулей ОЗУ часто указывается напряжение 1,35 В или выше. Такие более высокие напряжения необходимы для обеспечения стабильности электронных сигналов на высокой частоте. Эти модули памяти используют так называемый профиль расширения XMP (Extreme Memory Profile), который представляет собой увеличение частоты модуля памяти (разгон), подтвержденное производителем. Как правило, необходимо активировать профиль XMP в BIOS компьютера, чтобы модули памяти могли использовать эти высокие частоты.

DDR4 1,35 В

Иногда можно увеличить частоту модулей памяти, увеличив напряжение в BIOS компьютера, если ЦП и материнская плата поддерживают это. Но будьте осторожны, компьютер может перезагружаться, зависать или выдавать ошибки программ или операционной системы, если модули памяти недостаточно стабильно работают на запрашиваемой частоте. Сброса параметров памяти до их значений по умолчанию обычно достаточно для восстановления стабильной конфигурации компьютера.

В заключение не забудьте проверить характеристики процессора, чтобы узнать, какие скорости памяти поддерживаются, и по возможности старайтесь устанавливать пары модулей памяти. Цена некоторых очень быстрых модулей памяти, как правило, не оправдана, за исключением очень high-end конфигураций. Лучший процессор или видеокарта часто важнее для повышения производительности компьютера.

Читайте также: