Оперативная память разгоняется критично ddr4 2666

Обновлено: 05.07.2024

На данный момент мы рассмотрели два разных комплекта памяти DDR4 от Crucial. Сначала у нас был их комплект JEDEC, который работал на частоте DDR4 по умолчанию 2133 МГц. Следующим комплектом, который мы получили в свои руки, был комплект Ballistix Sport, который имел несколько хороших распределителей тепла и работал на частоте 2400 МГц. Теперь мы готовы к использованию топового комплекта памяти DDR4 от Crucial — Ballistix Elite. Новая память Ballistix Elite DDR4 имеет полностью переработанный теплоотвод по сравнению с версией DDR3 и работает на частоте от 2666 МГц. Сегодня мы рассмотрим комплект BLE4K4G4D26AFEA. Этот комплект работает на частоте 2666 МГц с таймингами 16-17-17-36 при напряжении 1,2 В. Поскольку это самый высококачественный комплект Crucial, мы ожидаем, что он будет работать очень хорошо. Посмотрим, на что они способны!

Выражаем особую благодарность компании Crucial за предоставленный для обзора комплект памяти Ballistix Elite DDR4-2666 16 ГБ.

Технические характеристики
Бренд: Ballistix
Форм-фактор: UDIMM
Размер модуля: комплект 16 ГБ (4 ГБx4)
Скорость: 2666 МГц
Тайминги: 16-17-17 -36
Серия: Ballistix Elite
ECC: NON-ECC
Напряжение: 1,2 В
Тип DIMM: Небуферизованный

Упаковка
Ballistix Elite поставляется в типичной раскладушке с памятью. На лицевой стороне указано, что у нас есть комплект на 16 ГБ, и это комплект BLE4K4G4D26AFEA. Упаковка "раскладушка" прозрачна, поэтому перед покупкой вы можете хорошенько рассмотреть память.

На обратной стороне есть информация о трех различных типах памяти в серии Ballistix (Sport, Tactical, Elite).

Для полной распаковки и обзора памяти Ballistix Elite DDR4 обязательно ознакомьтесь с нашим видео ниже.

Начинающие пользователи: Intel® Extreme Memory Profile (Intel® XMP).

Пользователи среднего уровня: расширенные профили памяти.

Продвинутые пользователи: разгон вручную.

Разгон ОЗУ может привести к увеличению скорости памяти и повышению производительности вашего ПК. Вот как это сделать. 1

О разгоне часто думают в контексте процессора или графического процессора, но вы также можете разогнать ОЗУ (оперативную память) для достижения более высоких скоростей.

Скорость оперативной памяти, измеряемая в МГц, относится к скорости передачи данных. Чем выше скорость передачи данных, тем выше производительность оперативной памяти. Разгон оперативной памяти включает в себя изменение определенных параметров, таких как тайминги и напряжения, чтобы модули могли работать на более высоких скоростях, чем они могли бы быть изначально.

Изменение тактовой частоты или напряжения может привести к аннулированию любых гарантий на продукт и снижению стабильности, безопасности, производительности и срока службы процессора и других компонентов.

Как работает разгон оперативной памяти?

В оперативной памяти ПК хранятся данные, используемые процессором. Как и в случае с любым узким местом, чем дольше ЦП ожидает получения необходимой ему информации из ОЗУ, тем менее эффективной является его работа. Более высокая скорость ОЗУ может быстрее передавать данные процессору, что потенциально повышает производительность вашего ПК.

Производительность оперативной памяти в первую очередь зависит от ее рабочей частоты, а также характеристик задержки, которые часто называют «таймингами».

Оперативная память с более высокой частотой обеспечивает более быструю передачу данных. Однако в случае таймингов чем меньше, тем лучше. Это связано с тем, что каждый тайминг соответствует определенной задержке или времени между операциями. Чем меньше время между операциями, тем лучше.

Частота и время

В идеальном мире оперативная память должна иметь высокие частоты и низкие тайминги. Их необходимо рассматривать вместе, чтобы определить общую производительность ОЗУ.

Обычно приходится идти на компромиссы, чтобы поднять одно или понизить другое. Проще говоря, когда модуль памяти работает на высокой частоте, его сложнее поддерживать стабильно. Чтобы сбалансировать проблемы со стабильностью на высоких скоростях, тайминги памяти часто увеличиваются. Это увеличивает время (задержку) между операциями и помогает поддерживать стабильность передачи. Увеличенная задержка снизит производительность и потенциально сведет на нет выигрыш от более высокой частоты, в зависимости от размера увеличения частоты.

Производители модулей памяти знают об этом и тщательно отбирают микросхемы памяти для каждой флешки, тестируя и соединяя модули памяти, которые могут обеспечить максимально возможную производительность. Эта дополнительная квалификация и усилия часто приводят к более высокой цене, поэтому высокоскоростная оперативная память с малой задержкой обычно стоит дороже.

И то, и другое важно, но, как правило, более высокие частоты часто перевешивают время, когда речь идет о влиянии на производительность для среднего пользователя.

Вот пример этикетки оперативной памяти, на которой показаны характеристики частоты и времени. Это модуль DDR4, работающий на частоте 3200 МГц. Строка чисел, в данном случае 14-14-14-34, относится к стандартным таймингам оперативной памяти.

Установление базового уровня

При разгоне любого оборудования, включая оперативную память, важно установить базовый уровень производительности, прежде чем изменять какие-либо настройки. Это позволит вам наглядно увидеть результаты своих усилий и сравнить разницу с показателями акций.

Прежде чем приступать к разгону, запустите утилиту для тестирования, чтобы установить этот базовый уровень. Есть несколько программ, которые позволят вам сделать это, например, memtest86+ (для которого требуется загрузочный диск), Aida64, MaxxMEM2 или программное обеспечение для тестирования производительности. После запуска теста по вашему выбору обязательно сохраните результаты для последующего сравнения.

Теперь пора приступить к разгону. Мы рассмотрим три различных метода разгона оперативной памяти, в зависимости от того, являетесь ли вы новичком, средним или продвинутым оверклокером.

Начинающие пользователи: Intel® XMP

Если вы новичок в разгоне оперативной памяти, вы можете обнаружить, что технология Intel® Extreme Memory Profile (Intel® XMP) — это отличный способ добиться сверхвысоких скоростей без необходимости слишком углубляться в детали. Модули памяти, совместимые с Intel® XMP, имеют предустановленные оптимальные настройки, и многие материнские платы могут определять эти настройки и автоматически применять их без необходимости вручную изменять частоты, тайминги и напряжения.

Чтобы найти настройки Intel® XMP, вам необходимо войти в BIOS вашего ПК.

Часто параметр Intel® XMP предлагает вам возможность переключения между несколькими профилями, которые обеспечивают различные уровни производительности разгона. Это может варьироваться в зависимости от производителя материнской платы и памяти, но обычно один из них обеспечивает более стабильный разгон, а другой может быть более амбициозным с точки зрения своих целевых показателей производительности. Выберите то, что имеет смысл для вас, и помните, что вы можете изменить его позже.

Выберите профиль, который хотите использовать, сохраните и примените настройки, а затем перезагрузите компьютер.

Intel® XMP упрощает разгон оперативной памяти, применяя правильные настройки для ваших модулей в соответствии с рекомендациями производителя модуля памяти.

На снимке экрана выше вы увидите настройки, используемые для наших модулей оперативной памяти:

Установите частоту памяти на 3200 МГц.
Установите время на 14-(14)-14-34.
Установите напряжение памяти на 1,35 В.

После применения изменений и перезагрузки повторно зайдите в программное обеспечение, которое вы использовали для получения начальной оценки, и снова запустите его. В приведенных ниже примерах мы использовали Aida64, которая предлагает бесплатную пробную версию.

Стандартный: мы получаем от 32 до 33 ГБ/с с задержкой 60 нс (наносекунд).

С активированным Intel® XMP мы получаем от 46 до 48 ГБ/с. Задержка теперь составляет всего 47 нс.

Пользователи среднего уровня: расширенные профили памяти

Хотя Intel® XMP прост в использовании и оптимизирует производительность в соответствии со спецификациями производителя, он может не обеспечивать гибкость и уровень настройки, которые могут потребоваться некоторым пользователям.

Если вы хотите внести эти изменения самостоятельно, некоторые материнские платы предоставляют доступ к инструментам для настройки параметров памяти. (Не все материнские платы предлагают эти расширенные профили памяти; они обычно встречаются на материнских платах высокого класса, предназначенных для энтузиастов разгона.) Это идеально подходит для пользователей, которые хотят более детального управления, чем предлагает Intel® XMP, но не обязательно заинтересованы в деталях. ручной настройки отдельных параметров.

Чтобы начать этот процесс, войдите в BIOS.

Находясь в BIOS, исследуйте меню, пока не найдете раздел, позволяющий настраивать профили памяти. Если у вас возникли проблемы с поиском этих параметров, обратитесь к документации по системной плате за дополнительной информацией.

В нашем случае мы попробовали несколько вариантов и в итоге использовали профиль 3400 МГц. Это на 200 МГц больше, чем у профиля Intel® XMP 3200 МГц, и на 734 МГц больше, чем штатная частота 2666 МГц. Этот профиль также имеет более жесткие тайминги, что в целом улучшает производительность нашей оперативной памяти.

Теперь мы измеряем от 50 до 53 ГБ/с при задержке 45 нс.

Очевидным ограничением нашего примера является тот факт, что мы используем четыре модуля по 8 ГБ. Один из способов добиться более высокой производительности при разгоне — сократить количество установленных модулей до двух, поскольку многие материнские платы испытывают трудности с поддержанием более высоких скоростей при увеличении нагрузки на слоты памяти.

Как и при других методах разгона оперативной памяти, вам потребуется перезагрузить систему и запустить тест после каждого внесенного вами изменения, чтобы сравнить результаты и убедиться в стабильности системы.

Продвинутые пользователи: ручной разгон памяти

Продвинутым оверклокерам может потребоваться еще более детальный контроль, помимо Intel® XMP и расширенных профилей памяти. Если это так, внесение изменений вручную может быть лучшим путем вперед. Имейте в виду, что это может занять много времени. Даже опытные специалисты по разгону памяти нередко тратят часы на то, что в конечном итоге приводит к небольшому увеличению производительности. Тем не менее, этот метод позволяет наиболее точно контролировать разгон, что идеально подходит для некоторых пользователей.

Фундаментальный принцип ручного разгона оперативной памяти довольно прост и аналогичен процессу разгона процессора. Он включает в себя тщательную настройку параметров, таких как тайминги памяти, из BIOS, чтобы найти комбинацию, которая приводит к более высоким скоростям, тестирование, чтобы увидеть, был ли процесс успешным, а затем повторную попытку, пока вы не достигнете идеального баланса максимальной стабильной частоты с самым жестким тайминги.

При настройке частоты, напряжения и таймингов ОЗУ, чтобы найти правильный баланс для вашего оборудования, вы должны помнить о следующих вещах:

Чтобы стабилизировать более высокие частоты, вам нужно увеличить (ослабить) тайминги. Это также может потребовать увеличения напряжения.
Чтобы повысить производительность при стабильной текущей частоте, следует уменьшить (ужесточить) тайминги.
Если вы хотите сократить время, действуйте методично. На большинстве материнских плат существует множество таймингов, которые можно изменить в BIOS.
Многие утилиты BIOS отображают тайминги по умолчанию. Например, если ваша память использует 15-15-36, вы можете попробовать изменить ее на 14-14-34 в качестве первого шага.
Поэкспериментировав с таймингами памяти, вам может понадобиться изменить входное напряжение памяти. Как и при разгоне ЦП, увеличение входного напряжения компонента приведет к увеличению энергопотребления и увеличению тепловыделения.
Напряжение памяти — ключевой фактор стабильного разгона. В стандартном случае разгона памяти считайте 1,5 В максимальным, но стремитесь к меньшему, когда это возможно. Будьте осторожны с изменениями напряжения и держите их как можно ниже при тестировании.
Некоторые материнские платы не поддерживают высокое напряжение памяти и, следовательно, не будут загружаться при слишком высоком напряжении. Попробуйте снизить напряжение.
При разгоне ОЗУ часто существует потолок, при котором повышение производительности не приведет к дополнительному приросту производительности. После достижения определенной частоты дальнейшее увеличение может не привести к повышению производительности, поскольку материнская плата автоматически регулирует тайминги, чтобы поддерживать стабильность системы. Если вы обнаружите, что не получаете дополнительной производительности после продолжительной настройки, возможно, вы достигли пределов возможностей вашего оборудования.
Может потребоваться довольно много экспериментов, пока вы не найдете правильную комбинацию частот, напряжений и таймингов для вашего оборудования.
Вносите небольшие постепенные изменения в любые настройки и проверяйте стабильность между каждой попыткой.

После того, как вы изменили настройки, создав комбинацию, которая, по вашему мнению, может быть успешной, снова перезагрузитесь в Windows и протестируйте ее с помощью тестовой утилиты, чтобы проверить стабильность и прирост производительности. Если вы хотите продолжить попытки повысить производительность, вернитесь в BIOS и продолжите процесс тестирования.

Сохраняйте свои настройки каждый раз, когда вы найдете комбинацию, которая приводит к успешной загрузке и разгону, даже если вы хотите продолжать попытки повысить производительность. Вполне возможно, что многие из ваших попыток не увенчаются успехом, а любые внесенные вами изменения будут утеряны после неудачной пробной версии. Убедитесь, что вы сохраняете как можно чаще, это сэкономит ваше время и избавит вас от необходимости начинать все сначала при каждой новой попытке.

Насколько точно мы можем получить тайминги комплекта памяти DDR4 Crucial Ballistix 16GB 2666MHz и насколько его можно разогнать с 1,35V памяти? Мы хотели узнать, сколько дополнительных ресурсов осталось у Crucial в комплекте памяти Ballistix Elite 16 ГБ 2666 МГц DDR4 (BLE4K4G4D26AFEA).

Комплект запускается на частоте 2 666 МГц с таймингами 16-17-17-26 2T при напряжении 1,20 В.

Что касается увеличения общей тактовой частоты памяти, мы использовали делители памяти для разгона, и нам не удалось добиться стабильной частоты 2800 МГц или выше при напряжении 1,20 В со штатными таймингами. Мы смогли получить 2800 МГц и 3000 МГц со стабильностью 99% при штатных таймингах 16-17-17-36 2T, увеличив напряжение DRAM до 1,45 В. Нам не удалось получить 3000 МГц с частотой команд 1T для успешной загрузки Windows, и мы даже попробовали 1,5 В. Показатели, которые мы видели в тестах на частоте 3000 МГц с таймингами CL16, были медленнее, чем на 2666 МГц с таймингами CL11 в довершение всего.

Поскольку большинство людей не собираются увеличивать напряжение на своей памяти, мы собираемся сосредоточить наше тестирование на штатных скоростях с таймингами CL16 и CL11.

Теперь мы подошли к самой важной части обзора, самой высокой стабильной работе. Из-за более широкого распространения систем Intel LGA1151 мы решили установить новую тестовую систему DDR4 с процессором Intel Core i5-6600K на материнской плате ASRock Z170 OC Formula, заменив нашу первую систему Intel LGA 2011-3 процессором Intel Core i7-5930K. на материнской плате ASRock X99 Extreme6. Тогда как модули адресуются в двухканальном режиме, но вскоре их можно будет сравнивать и попарно. Процессор Intel Core i5-6600K в зависимости от частоты BCLK и оперативной памяти устанавливается на разные частоты.

В качестве операционной системы используется Microsoft Windows 7 Ultimate Edition. Стабильность проверяется с помощью программного обеспечения Memtest86, а для всех тестов используется SiSoft Sandra Lite, поскольку оно предлагает обширные настройки и быстрое сравнение результатов. КСТАТИ. последняя версия SiSoftware Sandra доступна на нашем сервере и может быть загружена с высокой скоростью. Различные инструменты для тестирования включены даже в бесплатную версию Sandra Lite.

Тест DDR4 с настройками SPD…

Во-первых, модули памяти тестируются со значениями SPD по умолчанию BCLK, при этом значения запрограммированы производителем на микросхему SPD и считываются с материнской платы. По умолчанию BLCK тайминги с автонастройками из SPD EEPROM были установлены на 16-16-16-39 2T (CAS-TRCD-TRP-TRAS).

Вот скриншот CPU-Z 1.73 на частоте 1199,50 МГц / DDR4-2400 и 16-16-16-39 2T с 1,20 В:

Вот результат эталонных тестов SiSoftware Sandra:

Частота по умолчанию	Время	Напряжение памяти	Пропускная способность RAM Integer B/F AVX2/256	Диапазон шины памяти	Задержка памяти
1199,5 МГц	SPD 16-16-16-39	1,20 В	25,69 ГБ/с	24,73 ГБ/с	24,9 нс

< /p>

«Диапазон шины памяти», кстати, не является эталонным значением, но это значение достаточно просто вычислить по частоте и используется только для сравнения эталонных показателей.

Эта стандартная тактовая частота SPD при стандартном напряжении DDR4 сравнивается с тремя другими настройками:

Тест DDR4 с настройками XMP…

Затем модули памяти тестируются со значениями XMP, при этом значения XMP программируются производителем в ИС профиля XMP и могут считываться с материнской платы. Тайминги из XMP EEPROM были установлены на DDR4-2666 16-17-17-36 2T (CAS-TRCD-TRP-TRAS).

Вот скриншот CPU-Z 1.73 на частоте 1333,7 МГц / DDR4-2666 и 16-17-17-36 2T с 1,20 В:

Вот результат эталонных тестов SiSoftware Sandra:

Частота по умолчанию	Время	Напряжение памяти	Пропускная способность RAM Integer B/F AVX2/256	Диапазон шины памяти	Задержка памяти
1333,7 МГц	SPD 16-17-17-36	1,20 В	27,28 ГБ/с	26,26 ГБ/с	23,4 нс

< /p>

Здесь мы уже очень хорошо видим значительно лучшие результаты при более высокой скорости.

DDR4 OC с 1,20 В…

Теперь максимально возможная частота модулей памяти определяется по умолчанию 1,20 Вольт. Тактовая частота памяти с фиксированным таймингом памяти 15-15-15-36 2T и 1,20 В увеличивается небольшими шагами, в то время как подробный тест Memtest86 по-прежнему работает без ошибок.Длительный пробный период гарантирует, что эта частота модулей работает действительно стабильно.

Самая высокая частота с таймингами 15-15-15-36 2T и напряжением 1,20 В составила ок. 1400,1 МГц.

Вот скриншот CPU-Z 1.73 на частоте 1400,1 МГц / DDR4-2800 и 15-15-15-36 2T с 1,20 В:

DDR4 OC с 1,35 В…

Затем определяется максимально возможная частота 15-15-15-36 2T с максимально допустимым напряжением производителя, которое, однако, для этих модулей совпадает с напряжением по умолчанию 1,20 вольт. Поскольку разгон уже выходит за рамки спецификаций, мы решили для напряжения OC 1,35 вольт, чтобы разогнать память хотя бы немного выше.

При повышенном напряжении памяти в 1,35 Вольта модули памяти DDR4 на таймингах 15-15-15-36 2T удалось разогнать до 1450,3 МГц, что примерно соответствует DDR4-2900. Официально компания Crucial указывает по умолчанию DDR4 1,20 вольта, без потери гарантии!

Вот скриншот CPU-Z 1.73 на частоте 1450,30 МГц / DDR4-2900 и 15-15-15-36 2T с 1,35 В:

При более высоких напряжениях или более низких таймингах можно достичь значительно более высоких частот, потому что частоты и тайминги напрямую зависят друг от друга.

Здесь наши результаты OC показаны в виде диаграммы:

А вот прямое сравнение значений OC с ранее протестированными модулями DDR4. В качестве основы для этой диаграммы было выбрано официально разрешенное напряжение 1,20 В.

Сравнение всех значений разгона DDR4:

Таблица разгона DDR4 расширяется по мере тестирования новых модулей DDR4. Вы уже можете видеть, что результаты разгона значительно превышают значения ранее протестированных модулей ADATA Premier 4 ГБ DDR4-2133 CL15, что мы смогли разогнать с 1,20 В до 1340,70 МГц (DDR4-2684) и с 1,35 В до 1498,80 МГц (DDR4-3000). ). Ранее протестированные модули Crucial Ballistix Sport 4GB DDR4-2400 CL16 можно было разогнать с 1,20 В до 1332,60 МГц (DDR4-2666) и с 1,35 В до 1400,60 МГц (DDR4-2800).

Crucial Ballistix Tactical 32GB DDR4 Kit 4x 8GB DDR4-2666 Результаты и общее впечатление…

Читайте также: