Как настроить тайминги оперативной памяти ddr3

Обновлено: 21.11.2024

Скорость оперативной памяти

Памяти DDR, DDR2 и DDR3 классифицируются в соответствии с максимальной скоростью, с которой они могут работать, а также их таймингами. Тайминги оперативной памяти — это такие числа, как 3-4-4-8, 5-5-5-15, 7-7-7-21 или 9-9-9-24, чем меньше, тем лучше. В этом руководстве мы подробно объясним, что означает каждое из этих чисел.

Памяти DDR, DDR2 и DDR3 соответствуют классификации DDRxxx/PCyyyy. Кстати, если вам интересно узнать разницу между памятью DDR, DDR2 и DDR3, прочитайте наш учебник на эту тему.

Первое число, xxx, указывает максимальную тактовую частоту, поддерживаемую микросхемами памяти. Например, память DDR400 работает не более чем на частоте 400 МГц, DDR2-800 может работать на частоте до 800 МГц, а DDR3-1333 может работать на частоте до 1333 МГц. Важно отметить, что это не реальная тактовая частота памяти. Реальная тактовая частота памяти DDR, DDR2 и DDR3 составляет половину заявленной тактовой частоты. Поэтому память DDR400 работает на частоте 200 МГц, память DDR2-800 работает на частоте 400 МГц, а память DDR3-1333 работает на частоте 666 МГц.

Второе число указывает максимальную скорость передачи данных, которую достигает память, в МБ/с. Память DDR400 передает данные со скоростью не более 3200 МБ/с, поэтому она помечена как PC3200. Память DDR2-800 передает данные со скоростью 6400 МБ/с и имеет маркировку PC2-6400. Память DDR3-1333 может передавать данные со скоростью 10 664 МБ/с и имеет маркировку PC3-10600 или PC3-10666. Как видите, мы используем цифру «2» или «3» после «DDR» или «ПК», чтобы указать, что мы говорим о памяти DDR2 или DDR3, а не о DDR.

Первая классификация, DDRxxx, является стандартом, используемым для классификации микросхем памяти, а вторая классификация, PCyyyy, — стандартом, используемым для классификации модулей памяти. На рисунке 1 вы видите модуль памяти PC3-10666, в котором используются микросхемы памяти DDR3-1333. Обратите внимание на тайминги ОЗУ (7-7-7-18) и напряжение (1,5 В).

Предварительный просмотр

Товар

Рис. 1. Модуль памяти DDR3-1333/PC3-10666

Максимальную скорость передачи для модуля памяти можно рассчитать по следующей формуле:

Максимальная теоретическая скорость передачи = часы x количество бит/8

Поскольку модули DIMM передают 64 бита за раз, «количество бит» будет равно 64. Поскольку 64/8 равно 8, мы можем упростить эту формулу до:

Максимальная теоретическая скорость передачи = часы x 8

Если модуль памяти установлен в системе, где шина памяти работает с более низкой тактовой частотой, максимальная скорость передачи, которую может достичь модуль памяти, будет ниже его теоретической максимальной скорости передачи. На самом деле, это очень распространенное заблуждение.

Например, предположим, что вы купили пару модулей памяти DDR3-2133/PC3-17000. Несмотря на то, что они помечены как DDR3-2133, они не будут автоматически работать на частоте 2133 МГц в вашей системе. Это максимальная тактовая частота, которую они поддерживают, а не тактовая частота, с которой они будут работать. Если вы установите его на обычную компьютерную систему, поддерживающую память DDR3, она, вероятно, будет работать на частоте 1333 МГц (DDR3-1333) — максимальной стандартной скорости DDR3 — с максимальной скоростью передачи 10 664 МБ/с (или 21 328 МБ/с). если они работают в двухканальном режиме, прочтите наше руководство по двухканальному режиму, чтобы узнать больше об этом предмете). Таким образом, они не будут автоматически работать на частоте 2133 МГц и автоматически не достигнут скорости передачи данных 17 000 МБ/с.

Итак, зачем кому-то покупать эти модули? Кто-то купит их для разгона. Поскольку производитель гарантирует, что эти модули будут работать на частоте до 2133 МГц, вы знаете, что можете увеличить тактовую частоту шины памяти до 1066 МГц, чтобы повысить производительность вашей системы. Однако ваша материнская плата должна поддерживать такой разгон (подробнее см. в нашем руководстве по разгону памяти). Таким образом, покупка модуля памяти с заявленной тактовой частотой выше той, которую поддерживает ваша система, бесполезна, если вы не собираетесь разгонять свою систему.

Для обычного пользователя это все, что нужно знать о памяти DDR, DDR2 и DDR3. Для продвинутого пользователя есть еще одна характеристика: временное использование памяти, также известное как тайминги или латентность. Давайте поговорим об этом.

Тайминги ОЗУ

Из-за таймингов два модуля памяти с одинаковой теоретической максимальной скоростью передачи могут достигать разных уровней производительности. Почему это возможно, если оба работают с одинаковой тактовой частотой?

Время измеряет время, в течение которого микросхема памяти выполняет какие-либо внутренние действия. Вот пример. Рассмотрим самый известный параметр, который называется CAS Latency (или CL или «время доступа»), который говорит нам, сколько тактов задержит модуль памяти при возврате данных, запрошенных ЦП. Модуль памяти с CL 9 будет задерживать девять тактов для доставки запрошенных данных, тогда как модуль памяти с CL 7 будет задерживать семь тактов для их доставки. Хотя оба модуля могут работать с одинаковой тактовой частотой, второй будет быстрее, так как он будет доставлять данные раньше, чем первый. Эта проблема известна как «задержка». Как вы можете видеть на рисунке 1, показанный на нем модуль имеет CL, равный 7.

Операции, на которые указывают эти номера, следующие: CL-tRCD-tRP-tRAS-CMD. Чтобы понять их, имейте в виду, что память внутренне организована как матрица, где данные хранятся на пересечении строк и столбцов.

CL: задержка CAS. Время, которое проходит между отправкой команды в память и началом ответа на нее. Это время, которое проходит между запросом процессором некоторых данных из памяти и их возвратом.
tRCD: задержка между RAS и CAS. Время, которое проходит между активацией строки (RAS) и столбца (CAS), где данные хранятся в матрице.
tRP: предварительная зарядка RAS. Время, которое проходит между отключением доступа к строке данных и началом доступа к другой строке данных.
tRAS: активен для задержки предварительной зарядки. Как долго память должна ждать, пока не будет инициирован следующий доступ к памяти.
CMD: Частота команд. Время, которое проходит между активацией микросхемы памяти и моментом, когда первая команда может быть отправлена в память. Иногда это значение не объявляется. Обычно это T1 (1 такт) или T2 (2 такт).

Обычно у вас есть два варианта: настроить ПК на использование стандартных таймингов памяти, обычно устанавливая для конфигурации памяти значение «Авто» в настройках материнской платы; или вручную настроить ПК на использование более низких таймингов памяти, что может повысить производительность вашей системы. Обратите внимание, что не все материнские платы позволяют изменять тайминги памяти. Кроме того, некоторые материнские платы могут не работать с очень низкими таймингами, и из-за этого они могут настроить ваш модуль памяти на работу с более высокими таймингами.

Рисунок 3. Настройка таймингов памяти при установке материнской платы

При разгоне памяти может потребоваться увеличить тайминги памяти, чтобы система работала стабильно. Вот тут и происходит кое-что очень интересное. Из-за увеличенных таймингов производительность памяти может снизиться, хотя теперь она настроена на работу с более высокой тактовой частотой из-за введенной задержки.

Это еще одно преимущество модулей памяти, которые продаются специально для разгона. Производитель не только гарантирует, что ваш модуль памяти будет работать с заявленной тактовой частотой, но и гарантирует, что вы сможете поддерживать указанные тайминги на уровне указанных часов.

Например, даже если вы можете достичь частоты 1600 МГц (800 МГц x2) с модулями DDR3-1333/PC3-10600, для этих модулей может потребоваться увеличить тайминги памяти, а для DDR3-1600/PC3-12800 производитель гарантирует, что вы сможете достичь частоты 1600 МГц, сохраняя указанные тайминги.

Теперь мы пойдем еще дальше и подробно объясним каждый из параметров синхронизации памяти.

Влияние задержки CAS (CL) на скорость оперативной памяти

Как упоминалось ранее, задержка CAS (CL) — наиболее известный параметр памяти. Он сообщает нам, сколько тактов будет задерживать память для возврата запрошенных данных. Память с CL = 7 задержит семь тактов для доставки данных, а память с CL = 9 задержит девять тактов для выполнения той же операции. Таким образом, для двух модулей памяти, работающих с одинаковой тактовой частотой, быстрее будет тот, у которого наименьший CL.

Обратите внимание, что тактовая частота здесь — это реальная тактовая частота, на которой работает модуль памяти, т. е. половина номинальной тактовой частоты. Поскольку память DDR, DDR2 и DDR3 может передавать два данных за такт, их номинальная частота соответствует удвоенной реальной тактовой частоте.

На рис. 4 показано, как работает CL. Мы привели два примера: модуль памяти с CL = 7 и модуль памяти с CL = 9. Команда, выделенная синим цветом, означает команду «чтения».

Рис. 4. Задержка CAS (CL)

Память с CL = 7 обеспечивает снижение задержки памяти на 22,2 % по сравнению с памятью с CL = 9, учитывая, что обе работают с одинаковой тактовой частотой.

Вы даже можете рассчитать время задержки памяти до начала передачи данных. Период каждого тактового цикла можно легко рассчитать по формуле:

Таким образом, период каждого тактового цикла памяти DDR3-1333, работающей на частоте 1333 МГц (тактовая частота 666,66 МГц), будет составлять 1,5 нс (нс = наносекунда; 1 нс = 0,000000001 с). Имейте в виду, что вам нужно использовать реальную тактовую частоту, которая составляет половину заявленной тактовой частоты. Таким образом, эта память DDR3-1333 будет задерживать 10,5 нс, чтобы начать доставку данных, если она имеет CL = 7, или 13,5 нс, если она имеет CL = 9, например.

В памяти SDRAM, DDR, DDR2 и DDR3 реализован пакетный режим, при котором данные, хранящиеся по следующим адресам, могут покинуть память только за один такт. Таким образом, в то время как первые данные будут задерживать тактовые циклы CL для выхода из памяти, следующие данные будут доставлены сразу после предыдущих данных, которые только что вышли из памяти, не дожидаясь следующего цикла CL. Кроме того, память DDR, DDR2 и DDR3 передает два данных за такт, поэтому они помечены как имеющие вдвое большую тактовую частоту.

Влияние задержки RAS на CAS (tRCD) на скорость оперативной памяти

Рисунок 5. Задержка между RAS и CAS (tRCD)

Каждая микросхема памяти организована как матрица. На пересечении каждой строки и столбца у нас есть небольшой конденсатор, который отвечает за хранение «0» или «1» — данных. Внутри памяти процесс доступа к сохраненным данным выполняется путем активации сначала строки, а затем столбца, в котором она расположена. Эта активация осуществляется с помощью двух управляющих сигналов, называемых RAS (строб адресов строк) и CAS (строб адресов столбцов). Чем меньше времени между этими двумя сигналами, тем лучше, так как данные будут считаны раньше. На этот раз измеряется задержка RAS to CAS или tRCD. На рисунке 5 мы иллюстрируем это, показывая память с tRCD = 3.

Как видите, задержка RAS to CAS также является количеством тактовых циклов между командой «Активно» и командой «чтения» или «записи».

Как и в случае с задержкой CAS, задержка RAS to CAS работает с реальными часами памяти (что составляет половину помеченных часов). Чем ниже этот параметр, тем быстрее будет работать память, так как она раньше начнет чтение или запись данных.

Влияние предварительной зарядки RAS (tRP) на скорость оперативной памяти

Рисунок 6. Предварительно заряженный RAS (tRP)

После того, как данные собраны из памяти, необходимо выполнить команду Precharge, которая закроет
используемую строку памяти и позволит активировать новую строку. Время предварительной зарядки RAS (tRP) — это время, прошедшее между подачей команды Precharge и следующей активной командой. Как мы узнали из предыдущей страницы, команда Active запускает цикл чтения или записи.

На рисунке 6 показан пример памяти с tRP = 3.

Как и в случае с другими параметрами, предварительная зарядка RAS работает с реальными часами памяти (что составляет половину помеченных часов). Чем ниже этот параметр, тем быстрее будет работать память, так как она раньше выдаст команду Active.

Добавляя все, что мы видели, время, прошедшее между выдачей команды Precharge и фактическим получением данных, будет tRP + tRCD + CL.

Другие параметры, влияющие на тайминги оперативной памяти

Давайте подробнее рассмотрим два других параметра: задержку от активации до предварительной зарядки (tRAS) и скорость команд (CMD). Как и в случае с другими параметрами, эти два параметра работают с реальными часами памяти (которые составляют половину часов памяти, помеченных как часы). Чем ниже эти параметры, тем быстрее будет память.

Задержка между активным и предварительным зарядом (tRAS): после выдачи команды Active нельзя выполнить другую команду Precharge до тех пор, пока не истечет время tRAS. Таким образом, этот параметр ограничивает время, когда память может начать чтение (или запись) другой строки.
Command Rate (CMD): это время, затрачиваемое чипом памяти на активацию (через его CS — Chip Select — контакт) и когда любая команда может быть передана в память. Этот параметр имеет букву «Т». Возможные значения: 1T или 2T, что означает один тактовый цикл или два тактовых цикла соответственно.

Часто задаваемые вопросы

Насколько быстрой должна быть оперативная память для игрового ПК?

Для игр мы рекомендуем модули оперативной памяти, которые являются максимально быстрыми по очевидным причинам. Начнем с того, что в наши дни видеоигры не только занимают довольно много оперативной памяти, но и разделяют эти данные на такое количество сжатых файлов, что вам понадобится оперативная память, чтобы получить доступ ко всему как можно быстрее для бесперебойной работы. С учетом всего сказанного и сделанного, на момент написания этой статьи вам следует выбрать двухканальную оперативную память DDR4 или DDR5 с частотой 3000 МГц или более. Эти модули могут быть довольно дорогими, но это лучше, чем сталкиваться с узкими местами во время напряженных игровых сцен.

Влияют ли тайминги на оперативную память?

В целом мы обнаружили, что если вы копнете достаточно глубоко, вы обнаружите, что время определенно имеет значение.Это не повлияет на каждую игру или приложение, но, с другой стороны, имеет смысл хотя бы учитывать тайминги при покупке оперативной памяти, особенно если вы можете получить более жесткие тайминги по более низкой цене. При этом мы рекомендуем покупать оперативную память только у проверенных брендов и у проверенных розничных продавцов. Даже если теоретически гарантия на модуль ОЗУ действует пожизненно, на практике эта гарантия может быть легко аннулирована, если кто-то в прошлом вмешивался в модуль или если на нем слишком много слизи или жидкости.

Ограничена ли скорость оперативной памяти процессором?

На самом деле именно сочетание процессора и материнской платы ограничивает скорость DIMM. Скорость DIMM будет только достигать нижнего предела скорости между ЦП и материнской платой. Например, ЦП может поддерживать скорость до 1600, а материнская плата поддерживает скорость до 2400, но модули DIMM будут поддерживать скорость до 1600. Короче говоря, скорость вашего компьютера равна скорости его самого слабого компонента.

DDR3: Синхронная динамическая оперативная память с двойной скоростью передачи данных версии 3
Двойная скорость передачи данных означает, что эта память передает данные как по переднему, так и по заднему фронту тактового сигнала. Вот почему память DDR3 1600 МГц отображается как 800 МГц в cpuid. Это текущий тип памяти, используемый в современных системах. Он не имеет обратной совместимости ни с каким другим типом или памятью.

Тайминги. Когда мы говорим о таймингах, мы имеем в виду скорость, с которой контроллер памяти считывает и записывает один 64-битный блок в другой. Когда вы видите тайминги оперативной памяти, они обычно представлены следующим образом: 9-9-9-24 или CL-tRCD-tRP-Tras (см. ниже) есть более продвинутые тайминги оперативной памяти, но они наиболее важны, и мы рассмотрим остальные позже.

Время CAS или CL: CAS расшифровывается как Column Address Strobe. Он контролирует количество циклов ЦП между отправкой команды чтения и временем выполнения ее. Установка меньшего значения повысит производительность.

Задержка RAS to CAS или tRCD: количество циклов для выдачи активной команды и команд чтения/записи.

Минимальное время активности RAS или tRAS: это количество времени между активацией строки предварительной зарядкой и деактивацией. Строка не может быть деактивирована, пока не будет достигнут лимит tras. При разгоне таймингов необходимо держать tRAS = CL + tRCD+tRP (+/-1)

Command Rate: определяет количество циклов, в течение которых могут выполняться команды памяти. 1T — самая высокая производительность, чем выше скорость команд, тем стабильнее система.

Стандарты памяти JEDEC:
"Стандарты памяти JEDEC — это спецификации для полупроводниковых схем памяти и аналогичных устройств хранения данных, обнародованные Ассоциацией полупроводниковых технологий JEDEC, организацией по стандартизации полупроводниковой техники и торговли."

"Стандарт JEDEC 100B.01 определяет общие термины, единицы измерения и другие определения, используемые в полупроводниковой промышленности. JESC21-C определяет полупроводниковую память от 256-битной статической RAM до новейших модулей DDR3 SDRAM." Для наших целей в основном эта группа устанавливает стандарты в отношении того, как память должна работать в отношении скорости и таймингов.

В приведенной ниже таблице показано, как память должна распределяться по времени, чтобы быть "стандартной". Любое более низкое время на заданной скорости считается не соответствующим спецификации или разгоном. Большую часть времени при заданной скорости, если ЦП и плата рассчитаны на скорость передачи данных/пропускную способность, ЛЮБАЯ память должна работать на этом стандарте.

Профиль памяти Intel® Extreme

Профиль Intel® Extreme Memory Profile (Intel® XMP) позволяет разогнать совместимую память DDR3, чтобы производительность превышала стандартные характеристики. Это профиль автоматического разгона, протестированный производителем памяти. Этот профиль хранится в самой памяти, и биос вашей материнской платы может получить к нему доступ и применить его.
Извините, ребята из AMD, вы должны сделать это вручную, хотя, просмотрев профиль spd, вы можете вручную соответствовать таймингам/скорости.

SPD: обнаружение серийного присутствия — это стандартный способ, при котором информация о том, как память предназначена для работы, хранится в самой памяти. Обычно он состоит из нескольких стандартных профилей JEDEC и профиля XMP. Биос может извлекать эту информацию из памяти, чтобы правильно использовать память. Это, конечно, можно переопределить, в этом весь смысл разгона, но это всегда отправная точка.

Ниже показан скриншот spd, отображаемый CPUID.
Как видите, показанная оперативная память была продана как DDR3 2133, но она может работать только на 1333 и при этом соответствовать спецификации JEDEC! Кроме того, вы можете видеть, что его максимальная номинальная пропускная способность составляет 1333! Так что реально разогнанная DDR3 1333 продается как DDR3-2133!В настоящее время самая высокая доступная память — 1866, но ее почти невозможно найти или позволить себе, если вы это сделаете, почти все, что вы видите в продаже, — это 1333 или самое большее 1600!

Напряжение памяти: количество напряжения, подаваемого на память; Стандарт JEDEC для DDR составляет 1,5 В +- 0,075, за исключением DDR3L, который составляет 1,35 В
«Согласно JEDEC, 1,575 В следует считать абсолютным максимумом, когда стабильность памяти является главным фактором, например, в серверах. или другие критически важные устройства. Кроме того, JEDEC заявляет, что модули памяти должны выдерживать напряжение до 1,975 В, прежде чем они получат необратимое повреждение, хотя они не обязаны правильно функционировать при таком уровне."

VTT/ VCCIO/ I/O: это напряжение, подаваемое на контроллер памяти, которое часто упускается из виду при разгоне. Помните, что повышая разгон процессора, вы также увеличиваете пропускную способность памяти. Так много людей компенсируют это напряжением процессора, когда меньшее его и большее напряжение ввода-вывода сделали бы свое дело.

Расширенные тайминги памяти

В этом разделе я подробно расскажу о расширенных таймингах оперативной памяти. Если вы действительно не занимаетесь разгоном / переделкой, можно с уверенностью сказать, что вы можете остановиться на этом и оставить все это в автоматическом режиме. С другой стороны, поехали.

Ранг памяти. Ранг памяти – это набор модулей DRAM, подключенных к одному и тому же выбору микросхем и, следовательно, доступ к которым осуществляется одновременно. На практике они также совместно используют все остальные сигналы управления и контроля, и только выводы данных для каждой DRAM являются отдельными (но выводы данных являются общими для разных рангов).

Обновление памяти. Обновление памяти — это процесс периодического считывания информации из области памяти компьютера и немедленной перезаписи считанной информации в ту же область без изменений с целью сохранения информации.

Банк памяти. Банк памяти — это логическая единица хранения в электронике, которая зависит от аппаратного обеспечения. В компьютере банк памяти может определяться контроллером доступа к памяти и ЦП, а также физической организацией аппаратных слотов памяти.

Время цикла строки или tRC: задает количество циклов процессора, которое требуется строке памяти (помните, что память разделена на «ячейки», как в электронной таблице Excel), для завершения полного цикла. Полный цикл — от активации ряда до предварительной зарядки активного ряда. Этот параметр имеет большое влияние на скорость памяти, при этом чем меньше тайминг, тем быстрее. tRC= трас + tRP

Refresh to Activate Delay / Refresh Cycle Time или tRFC: устанавливает количество тактовых циклов от команды обновления до первой команды активации того же ранга.

Выбор режима обновления / Период обновления или tREF: устанавливает количество тактов, в течение которых будут выполняться обновления. БОЛЬШАЯ ЦЕННОСТЬ ДЛЯ БОЛЬШЕЙ ПРОИЗВОДИТЕЛЬНОСТИ

Write to Precharge Delay / Write Recovery Time или tWR: устанавливает количество тактовых циклов между завершением допустимой операции записи и до того, как активный банк может быть предварительно заряжен. Формула записи в предварительную зарядку: tCL -1 +(Burst Legnth / 2)+tWTR

Задержка от активации до активации или tRRD: количество тактовых циклов между активацией двух строк в разных банках одного ранга. (незначительный прирост производительности)

Задержка чтения до предварительной зарядки или tRTP: количество тактовых циклов между командой чтения и командой предварительной зарядки строки того же ранга.

Задержка от чтения до записи или tRTW: количество тактовых циклов между командой чтения и командой записи того же ранга.

Four Activate Window или tFAW: количество циклов, в которых разрешено четыре активации в пределах одного ранга.

Задержка от предварительной зарядки до предварительной зарядки или tPTP: количество циклов между командами предварительной зарядки для разных банков одного ранга.

Интервал команд записи/чтения или tWR-RD: количество тактов между командой записи и командой чтения другого ранга.

Интервал команд чтения/записи или tRD-WR: количество тактов между командой записи и командой записи разных рангов в одном и том же канале.

Принудительная автоматическая предварительная зарядка: принудительная автоматическая предварительная зарядка для каждой команды чтения и записи. Включено для экономии энергии

Максимальная асинхронная задержка: устанавливает максимальную задержку при передаче данных от процессора к оперативной памяти и обратно. Это указано в часах NB и включает асинхронные и синхронные задержки.

Обход очереди чтения/записи: сколько раз может быть пропущена самая старая операция в очереди чтения/записи контроллера DRAM.

Queue Bypass Max: Максимальное количество обходов самого старого запроса на доступ к памяти в очереди контроллера DRAM.

Таймер простоя барабана: количество часов, в течение которых контроллер барабана будет оставаться в состоянии ожидания, прежде чем он начнет предварительную зарядку всех страниц.

При первой сборке системы или сбросе BIOS некоторые настройки возвращаются к исходному состоянию. Это может означать сброс разгона процессора, потерю профилей скорости вентилятора, смещение приоритетов загрузки жесткого диска, а также сброс оперативной памяти до частоты 1333 МГц по умолчанию (на DDR3). Мы покажем вам, как вручную настроить параметры памяти, чтобы установить номинальные скорости, установленные производителем.

Метод

Во-первых, вам нужно проверить характеристики вашей памяти. Для этого вы можете либо проверить в Интернете у продавца / производителя, у которого вы купили память, либо вынуть одну из планок ОЗУ, и это будет указано на этикетке. Обратите внимание на частоту памяти (например, 2400 МГц), тайминги (например, 10-12-12-31) и напряжение памяти (например, 1,65 В).

Прежде чем прикасаться к каким-либо настройкам в BIOS, рекомендуется загрузить CPU-z здесь и на вкладке «Память» еще раз проверить, какая у вас установлена оперативная память. Помните, поскольку «DDR» означает двойную скорость передачи данных, вам нужно удвоить любое значение, которое отображается рядом с «частотой DRAM». Например, если отображается 666,5 МГц, то оперативная память будет работать на частоте 1333 МГц. Теперь, если вы купили память с частотой 2 133 МГц, вы теряете значительную часть скорости из-за того, что для нее не установлены правильные значения.

Теперь для входа в BIOS нужно просто нажать кнопку «Удалить» при включении системы. Это может быть другая кнопка на клавиатуре, поэтому, если она не работает, обратитесь к руководству по материнской плате. Зайдя в BIOS, найдите настройки «Разгон», а затем найдите настройки памяти.

Оттуда вам нужно найти параметр «Режим синхронизации DRAM», а затем «Расширенная конфигурация DRAM», который приведет вас к другому экрану, где вы сможете вручную ввести значения для таймингов памяти. Обычно по умолчанию это 9-9-9-24, и большая часть памяти 1600 МГц уже использует эти тайминги, и в этом случае вам не нужно ничего здесь менять. Однако при более высоких частотах памяти, таких как 2133 МГц, тайминги часто будут немного выше, поэтому вам нужно будет изменить их вручную. (стоит помнить, что каждая доска может быть сформулирована немного по-разному, но мы уверены, что вы сможете это понять)

После этого вернитесь в предыдущее меню и найдите DRAM Voltage. Это, скорее всего, отобразит «Авто», и в этом случае вам нужно изменить это на ваше конкретное значение. Скорее всего, это будет 1,65 В, 1,5 В или, может быть, 1,35 В для DDR3, но оно может быть другим, если у вас низковольтная ОЗУ.

Наконец, найдите частоту DRAM, а затем в раскрывающемся списке выберите правильную скорость для вашей оперативной памяти.

Теперь вы можете нажать F10, чтобы сохранить настройки и перезагрузить компьютер. Он должен запуститься нормально (может быть, даже на несколько миллисекунд быстрее, если вам повезет!), а затем вы можете снова проверить в CPU-z, чтобы убедиться, что настройки сохранены правильно.

Возможно, стоит проверить с помощью тестовой программы, чтобы убедиться, что ваша система поддерживает очень быструю память. 1600 МГц и 1866 МГц должны подойти для большинства систем, однако стоит протестировать что-нибудь выше с чем-то вроде OCCT, некоторые старые процессоры просто не могут работать с очень высокой скоростью памяти, а другим нужно немного больше возиться с BIOS, чтобы заставить их играть в мяч. . Если у вас есть какие-либо проблемы или вопросы, не стесняйтесь задавать их на форумах OC3D.

P1 — [Auto, Enabled] Мы можем сказать вам, что этот параметр оптимизирует внутренние задержки MCH при установке FSB 475 МГц или выше, но точная функциональность в настоящее время неизвестна.Включите этот параметр при разгоне выше 475FSB, чтобы повысить производительность чтения памяти и уменьшить задержки доступа к памяти. Ниже 475FSB этот параметр не действует (по умолчанию Auto отображается как Enabled). Возможно, вам потребуется увеличить напряжение ядра NB (напряжение SPP), если этот параметр включен.

P2 — [Авто, Включено] Этот параметр также должен быть включен, если это возможно, при тактовой частоте выше 475FSB. Как правило, у вас будут проблемы с «P2», если ваша система нестабильна с включенным «P1». Включение как "P1", так и "P2" приведет к наибольшему повышению производительности чтения памяти.

tCL (задержка CAS) — [Авто, 5 ~ 18] Как правило, используйте 6 ниже DDR3-1600, 7 от DDR3-1600 до примерно DDR3-1830, 8 от DDR3-1830 до примерно DDR-2000. и 9 для всего, что выше DDR3-2000. Не вся память одинакова, поэтому вам нужно будет поэкспериментировать, чтобы увидеть, что работает лучше всего. Помимо фактической скорости памяти, выбор этого значения имеет одно из самых больших влияний на напряжение памяти, необходимое для стабильной работы (более низкие значения приводят к более высоким напряжениям).

tRCD (задержка от RAS к CAS) — [Авто, 1 ~ 15]. Вы не ошибетесь, установив для этого то же значение, что и для tCL. Иногда вы можете установить его на tCL -1 без необходимости дополнительного напряжения; просто не ожидайте больших изменений в пропускной способности чтения памяти.

tRP (Предварительная зарядка строки) — [Авто, 1 ~ 15] Как и для tRCD, установите для него то же значение, что и для tCL, или используйте tCL -1. Как правило, если память будет обрабатывать tRCD tCL -1, вы можете обойтись tRCD -1 для tRP. Опять же, попробуйте разные значения и выберите наименьшее число, которое вы можете использовать без необходимости чрезмерного напряжения памяти.

tRAS (активна для задержки предварительной зарядки) — [Авто, 1 ~ 63] Никогда не устанавливайте tRAS ниже, чем tRCD + tCL + 2. Вопреки распространенному мнению, tRAS — это не столько фактическое время, сколько минимальное время цикла. . Более низкие значения почти гарантированно не улучшат производительность памяти, но стабильность может резко ухудшиться, если вы слишком агрессивны с этим временем.

Количество команд за такт — [Авто, 1 такт, 2 такт]. Вообще говоря, синхронизация команд 1T должна быть хорошей примерно до DDR3-1860 с 2 ГБ памяти. Избавьте себя от хлопот и используйте 2T при разгоне с 4 ГБ или 8 ГБ памяти DDR3.

tRRD (задержка от RAS к RAS) — [Авто, 1 ~ 15]. Мы рекомендуем вам установить это значение равным 1 и оставить его там.

tRC (время цикла банка) — [Авто, 1 ~ 63]. Возможно, это один из самых важных таймингов, когда речь идет о производительности памяти с наборами микросхем NVIDIA. Правило, когда речь идет о tRC, заключается в том, что вы должны установить его не ниже, чем tCL + tRAS + 2. Даже небольшое уменьшение этого времени может привести к значительному снижению задержек доступа к памяти.

tWR (Время восстановления записи) — [Авто, 5, 6, 7, 8, 10, 12] Если можно, уменьшите это значение до 10. Некоторая память упадет до 8, если вы подадите на нее достаточное напряжение.

tWTR (Задержка чтения для записи) — [Авто, 1 ~ 31]. Для этого параметра лучше оставить значение Авто.

tFAW (Задержка четырех активных окон) — [Авто, 1 ~ 63]. Попробуйте установить для этого значение, которое вы используете для tRC. Тем, кто разгоняет 8 ГБ памяти DDR3, возможно, потребуется существенно снизить этот показатель по сравнению с DDR3-1600 или около того.

tRD (Read Delay) — [Auto, 1 ~ 15] Эти тайминги были добавлены по нашему завещанию, начиная с BIOS 0504. К сожалению, набор микросхем не реагирует на эту опцию так, как это сделал бы набор микросхем Intel. На данный момент игнорируйте это время, как если бы оно не существовало (оставьте значение Авто).

tRTP (задержка чтения до предварительной зарядки) — [Авто, 1 ~ 15]. Для этого параметра лучше оставить значение Авто.

tRFC (время цикла обновления строки) — [Авто (0), вручную до 255] Установите tRFC не менее 72 при тактовой частоте 8 ГБ DDR3 выше DDR3-1600. В противном случае плата довольно хорошо справляется с автоматической настройкой этого параметра. Небольшую производительность чтения из памяти иногда можно получить с умеренно более низкими значениями. Зайдите слишком далеко, и во время загрузки ОС вас встретит BSOD.

tREF (Период обновления) — [Авто, 3.9, 7.8] Оставьте значение «Авто», так как правильное значение считывается с ваших модулей SPD (обычно 7,8 мкс).

Читайте также: